青岛聚能创芯微电子有限公司臧天程获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛聚能创芯微电子有限公司申请的专利一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133169B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411316931.2，技术领域涉及：H01L25/18；该发明授权一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法是由臧天程设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法，应用于驱动集成电路封装领域，该结构包括：高电子迁移率晶体管，和设置在高电子迁移率晶体管一侧表面的若干三极管；高电子迁移率晶体管的栅极位于高电子迁移率晶体管靠向三极管的一侧表面；三极管的发射极设置在三极管靠向高电子迁移率晶体管的一侧表面，且上述发射极与上述栅极导电连接，剩余电极均与对应的引脚导电连接。本发明将三极管设置在高电子迁移率晶体管的一侧表面，将高电子迁移率晶体管中的栅极，设置在高电子迁移率晶体管靠向三极管的一侧表面，将三极管中的发射极，设置在三极管靠向高电子迁移率晶体管的一侧表面，在减少器件占用电路板面积的同时，减少了线路的寄生电感。
本发明授权一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管封装结构，其特征在于，包括： 高电子迁移率晶体管，和设置在所述高电子迁移率晶体管一侧表面的若干三极管； 所述高电子迁移率晶体管包括源极、漏极和栅极，且所述栅极位于所述高电子迁移率晶体管靠向所述三极管的一侧表面； 所述三极管包括基极、集电极和发射极，且所述发射极设置在所述三极管靠向所述高电子迁移率晶体管的一侧表面； 所述三极管的所述发射极与所述高电子迁移率晶体管的所述栅极导电连接，所述三极管的所述基极与基极引脚导电连接，所述三极管的所述集电极与对应的集电极引脚导电连接； 所述高电子迁移率晶体管的所述源极与源极引脚导电连接，所述高电子迁移率晶体管的所述漏极与漏极引脚导电连接。
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