北京超弦存储器研究院孟敬恒获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储单元、存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119152903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310721171.2，技术领域涉及：G11C11/402；该发明授权存储单元、存储器及其制造方法、电子设备是由孟敬恒;李玉科;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种存储单元、存储器及其制造方法、电子设备。该存储单元包括读晶体管和写晶体管，其中读晶体管为双栅晶体管，读晶体管包括第一栅极、第二栅极、第一源漏极和第二源漏极；第一栅极用于与读取字线电连接；第一源漏极用于与参考电压端电连接；写晶体管包括第三源漏极和第四源漏极；第三源漏极与第二栅极电连接；第四源漏极、第二源漏极均用于与位线电连接。本申请读晶体管为平面型晶体管，写晶体管为垂直型晶体管，读晶体管和写晶体管在垂直衬底的方向上堆叠，能够提升存储单元的集成密度。
本发明授权存储单元、存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 读晶体管，为双栅晶体管，包括第一栅极、第二栅极、第一源漏极和第二源漏极；所述第一栅极用于与读取字线电连接；第一源漏极用于与参考电压端电连接； 写晶体管，包括第三源漏极、第四源漏极、沿垂直于衬底方向延伸的第三栅极、以及环绕设置于所述第三栅极的侧壁和底端的第二半导体层；所述第三源漏极与所述第二栅极电连接；所述第四源漏极、所述第二源漏极均用于与位线电连接；所述第二半导体层与所述第三栅极相互绝缘； 共用电极，所述共用电极为所述第二栅极和所述第三源漏极的同一电极；所述共用电极与所述第二半导体层的底部连接； 所述读晶体管还包括：位于所述共用电极远离所述第二半导体层一侧依次设置的第一半导体层，所述第一半导体层沿平行于所述衬底的方向延伸，所述共用电极、所述第一半导体层和所述第一栅极相互绝缘； 其中，所述读晶体管为平面型晶体管，所述写晶体管为垂直型晶体管，所述读晶体管和所述写晶体管在垂直衬底的方向上堆叠。
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