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龙图腾网获悉焦作天宝桓祥机械科技有限公司申请的专利一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153319B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411317367.6，技术领域涉及：H01L21/18；该发明授权一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法是由赵仁玉;赵均苒;石安家;黄超然;赵建辉设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于金刚石散热材料技术领域，具体公开了一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法，将合成块装入六面顶压机，采用分段升压工艺进行加工，每一层内部的镍锰钴合金片融化，碳化硅晶圆接触合金片的一面，碳化硅晶圆内的硅会融入镍锰钴合金片，因合成腔体内的高温超高压环境处于金刚石的稳定区，碳化硅晶圆内剩余的碳原子会以金刚石晶体结构重新排列，得到异质外延金刚石碳化硅复合晶圆。本发明通过在金刚石面硼掺杂、在碳化硅面掺杂磷，可以再晶圆上集成出芯片制造最基础的PN节结构，制造出耐电压程度更高、运行速度更快、更耐高温、制程更小的半导体芯片，对于微电子行业和高性能芯片开发具有重要的战略意义；而且单次可合成10~40片异质外延金刚石碳化硅复合晶圆。

本发明授权一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质外延金刚石碳化硅复合晶圆的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、组装金刚石碳化硅复合晶圆合成块：合成块包括内部设有柱形腔体的叶腊石方形管，叶腊石方形管的柱形腔体内壁嵌入有复合叶腊石管，复合叶腊石管的内径与叶腊石方形管的内径相同；复合叶腊石管内套置有加热管，加热管两端设有加热片，加热管内套置有绝缘杯，绝缘杯两端设有封堵绝缘片；复合叶腊石管的两端口处由内至外依次设有复合叶腊石封堵块和叶腊石封堵块，贯穿所述复合叶腊石封堵块和叶腊石封堵块中心设有导电钢圈，导电钢圈的内端面与加热片的外端面相接触；绝缘杯内套置有金刚石碳化硅复合晶圆合成块，所述金刚石碳化硅复合晶圆合成块包括套置在绝缘杯内壁的碳管，碳管的顶端和末端内分别设有封堵碳片，碳管内由上至下设有若干隔离碳片，相邻两片隔离碳片之间由下至上依次铺设有镍锰钴合金片和碳化硅晶圆片；位于碳管中的最下层的隔离碳片的下端面与碳管下端的封堵碳片上端面接触，位于碳管中的最上层的隔离碳片的上端面与碳管上端的封堵碳片下端面接触； S2、制备金刚石碳化硅复合晶圆：将上述合成块装入六面顶压机的合成腔内，采用分段升压工艺，将合成腔体内压力升高到4.5～6GPa，温度达到1400～1700度并保持20～80分钟，每一层的镍锰钴合金片融化，碳化硅晶圆片接触镍锰钴合金片的一面，碳化硅晶圆片内的硅会融入镍锰钴合金片，因为合成腔体内的高温超高压环境处于金刚石的稳定区，碳化硅晶圆片内剩余的碳原子以金刚石晶体结构重新排列，最终生成异质外延金刚石层碳化硅复合晶圆，将金刚石层碳化硅复合晶圆从碳管中取出，冷却至室温。

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