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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法、操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119153443B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310680636.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构及其形成方法、操作方法是由姜中鹏;汪恒设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法、操作方法在说明书摘要公布了：本公开一种半导体结构及其形成方法、操作方法。所述半导体结构包括：多个有源结构，每个所述有源结构包括有源区、位于所述有源区上方的栅极结构、以及位于所述有源区上方且与所述有源区电连接的导电连接结构；多个所述有源结构中的所述有源区沿第一方向的宽度相同，且任意两个所述有源结构中的所述有源区沿第二方向的长度不同，所述第一方向与所述第二方向相交。本公开提高了有源区电阻测试的准确度和可靠性，为半导体器件性能的改善提供了参考。

本发明授权半导体结构及其形成方法、操作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 多个有源结构，每个所述有源结构包括有源区、位于所述有源区上方的栅极结构、以及位于所述有源区上方且与所述有源区电连接的导电连接结构； 多个所述有源结构中的所述有源区沿第一方向的宽度相同，且任意两个所述有源结构中的所述有源区沿第二方向的长度不同，所述第一方向与所述第二方向相交； 其中，所述导电连接结构包括： 第一导电连接结构，位于所述有源区上方，且与所述有源区电连接； 第二导电连接结构，位于所述有源区上方，且与所述有源区电连接，所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构沿所述第二方向间隔分布于所述有源区的相对两侧，且所述第一导电连接结构和所述第二导电连接结构均与所述有源区部分交叠； 所述第一导电连接结构包括沿所述第一方向延伸的第一主体部、以及与所述第一主体部连接且沿所述第二方向延伸的多个第一延伸部，且多个所述第一延伸部沿所述第一方向间隔排布，所述第一延伸部至少部分位于所述有源区上方且与所述有源区电连接； 所述第二导电连接结构包括沿所述第一方向延伸的第二主体部、以及与所述第二主体部连接且沿所述第二方向延伸的多个第二延伸部，且多个所述第二延伸部沿所述第一方向间隔排布，所述第二延伸部至少部分位于所述有源区上方且与所述有源区电连接。

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