长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119155990B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310679087.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：基底；位于基底上的多个第一堆叠结构，第一堆叠结构沿第一方向间隔排布，第一堆叠结构包括沿垂直方向依次堆叠的位线和第一半导体层，位线与第一半导体层电接触；支撑层，位于基底上，至少与第一半导体层的部分侧壁接触。本公开实施例提供有利于提高半导体结构的电性能。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的多个第一堆叠结构和位于所述第一堆叠结构上的沿第二方向间隔排布的多个第二堆叠结构，所述第一堆叠结构沿第一方向间隔排布，所述第一堆叠结构包括沿垂直方向依次堆叠的位线和第一半导体层，所述位线与所述第一半导体层电接触，所述第二堆叠结构包括沿垂直方向依次堆叠的第二半导体层以及第三半导体层，所述第二半导体层包括第一子层、第二子层和第三子层，所述第二子层沿所述第二方向的尺寸小于所述第一子层及所述第三子层沿所述第二方向的尺寸； 支撑层，位于所述基底上，至少与所述第一半导体层的部分侧壁接触，所述支撑层包括沿垂直方向依次堆叠的第一支撑层、第二支撑层和第三支撑层，所述第二支撑层的材料不同于所述第一支撑层和所述第三支撑层的材料，所述第一支撑层的上表面平齐于所述第一堆叠结构的上表面，所述第二支撑层的上表面平齐于所述第一子层的上表面。
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