长鑫存储技术有限公司胡敏锐获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119155992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310680796.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由胡敏锐;廖昱程;赵文礼;冯道欢;蒋懿;杨晨;肖德元设计研发完成，并于2023-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构包括：衬底；有源阵列，位于所述衬底上，包括沿第一方向和第二方向间隔排布的多个有源柱，所述第一方向与所述第二方向相交；位线结构，位于所述衬底上，所述位线结构包括沿第二方向间隔排布的多条位线，所述位线沿所述第一方向延伸且与沿所述第一方向间隔排布的多个所述有源柱电连接；隔离结构，位于所述位线下方，所述隔离结构包括隔离层以及位于所述隔离层中的空气隙，所述隔离层的电阻率大于所述衬底的电阻率。本公开增强了相邻位线之间的电性隔离效果，进而减少了相邻位线之间的漏电问题。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 有源阵列，位于所述衬底上，包括沿第一方向和第二方向间隔排布的多个有源柱，所述第一方向与所述第二方向相交； 位线结构，位于所述衬底上，所述位线结构包括沿第二方向间隔排布的多条位线，所述位线沿所述第一方向延伸且与沿所述第一方向间隔排布的多个所述有源柱电连接； 隔离结构，位于所述位线下方，所述隔离结构包括隔离层以及位于所述隔离层中的空气隙，所述隔离层的电阻率大于所述衬底的电阻率； 伪有源阵列，位于所述位线下方，所述伪有源阵列包括一一分布于多个所述有源柱下方的多个伪有源柱； 所述空气隙位于所述伪有源柱的正下方，所述隔离层连续分布于所述伪有源柱下方、并填充满相邻所述伪有源柱之间的间隙。
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