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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于Anapole共振的偏振无关硅基电控太赫兹超表面调制器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119171083B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411278826.4，技术领域涉及：H01Q15/00；该发明授权一种基于Anapole共振的偏振无关硅基电控太赫兹超表面调制器是由夏明俊;张韬设计研发完成，并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于Anapole共振的偏振无关硅基电控太赫兹超表面调制器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于Anapole共振的偏振无关硅基电控太赫兹超表面调制器。该器件包括高阻硅衬底，且高阻硅衬底的正面通过离子注入方式形成掺杂层；掺杂层的表面以肖特基接触的形式加工由第一金属电极、金属超表面、金属连接线和第二金属电极组成的金属图案结构；金属超表面由超表面单元在平面上按照晶格密铺排列，每个超表面单元由四条边界金属线围合而成的外轮廓、两条连接顶点的内部对角金属线和在每条边界金属线中点处断开形成的半电容组成，相邻的两个超表面单元之间通过边界金属线贴合拼接形成完整的金属线和电容间隙。本发明通过Anapole超表面实现了对太赫兹波的调制，相比于现有电控太赫兹超表面调制器具有低插入损耗、宽调制动态范围和偏振无关的特点。

本发明授权一种基于Anapole共振的偏振无关硅基电控太赫兹超表面调制器在权利要求书中公布了：1.一种基于Anapole共振的偏振无关硅基电控太赫兹超表面调制器，其特征在于，包括高阻硅衬底1，且高阻硅衬底1的正面通过离子注入方式形成掺杂层2； 所述掺杂层2的表面加工有由第一金属电极3、金属超表面4、金属连接线5和第二金属电极6组成的金属图案结构，且金属图案结构与掺杂层2之间均形成肖特基接触；所述第一金属电极3为单边开口的正方形环，以三面环绕的方式布置于金属超表面4的正方形轮廓外围，而第二金属电极6位于金属超表面4外围没有被第一金属电极3环绕的一侧；所述第一金属电极3与金属超表面4之间保持间距不接触，而第二金属电极6与金属超表面4之间通过一系列金属连接线5连接； 所述金属超表面4由超表面单元在平面上按照正方形晶格密铺排列而成，每个超表面单元的正方形晶格外轮廓由四条边界金属线围合而成，且外轮廓沿两条对角线分别布置两条连接正方形对角顶点的内部金属线；每条边界金属线在中点处断开形成半电容间隙，所述半电容间隙由两片分设于中点断开处且相互保持间隙的极板金属片构成；相邻的两个超表面单元之间通过各自的一条边界金属线贴合拼接形成一条完整的金属线，且贴合拼接的两条边界金属线上的半电容间隙也拼合形成一个完整的电容间隙，从而使金属超表面4中两两相邻的超表面单元之间形成电连接并具有相同电势。

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