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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种金属薄带双面高效CVD连续镀膜系统及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194419B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411323507.0，技术领域涉及：C23C16/54；该发明授权一种金属薄带双面高效CVD连续镀膜系统及方法是由陶伯万;赵明原;赵睿鹏;陈曦;李禛哲;朱泓旭设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属薄带双面高效CVD连续镀膜系统及方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种金属薄带双面高效CVD连续镀膜系统及方法，涉及薄膜制备技术领域，镀膜系统的主要结构为：两个卷绕盘之间设置正电极组和负电极组，正、负电极组之间具有薄膜沉积区；正、负电极组中每一对夹持电极的上、下两个夹持电极与金属薄带的上下表面边缘形成电接触；射频电流源连接到相对设置于衬底通道两侧的至少一对射频电极，两个CVD前驱体喷淋头设置在薄膜沉积区衬底通道的上、下方，两个防沉积保护件设置在正、负电极组之间的衬底通道两侧且位于一对射频电极之间。本发明通过金属薄带通电自加热装置提供稳定电流产生的焦耳热来快速达到镀膜所需温度，能提高前驱体粒子在金属薄带表面利用率，改善成膜质量同时提升镀膜速率。

本发明授权一种金属薄带双面高效CVD连续镀膜系统及方法在权利要求书中公布了：1.一种金属薄宽带双面高效CVD连续镀膜系统，其特征在于，包括卷绕盘1、金属薄带通电自加热装置、等离子辅助镀膜装置、CVD前驱体喷淋头17、防沉积保护件18，其中： 所述金属薄带通电自加热装置的具体结构为： 两个卷绕盘1之间设置有正电极组2和负电极组3，正电极组2和负电极组3之间具有薄膜沉积区5；卷绕在一侧卷绕盘1上的金属薄带12从正电极组2穿过，经薄膜沉积区5后被另一侧的卷绕盘1牵引至负电极组3处；金属薄带12在卷绕盘1之间的运动路径形成衬底通道； 正电极组2包括电源接口、电流分配电路和至少2对夹持电极10，每一对夹持电极10的上、下两个夹持电极10分布于衬底通道的上、下方，且与金属薄带12的上下表面边缘电接触；成对的两个夹持电极10之间电连接，并通过电流分配电路与电源接口电连接； 负电极组3的结构与正电极组2相同； 正电极组2和负电极组3通过各自的电源接口外接直流电流源4形成完整通路； 所述等离子辅助镀膜装置设置在薄膜沉积区5，其具体结构为： 射频电流源14通过射频电路连接到相对设置于衬底通道两侧的至少一对第一射频电极15和第二射频电极16，第一射频电极15和第二射频电极16之间形成等离子激发区； 所述CVD前驱体喷淋头17数量为两个，分别设置在薄膜沉积区5衬底通道的上、下方，CVD前驱体喷淋头17的喷淋出口位于所述等离子激发区； 所述防沉积保护件18数量为两个，分别设置在正电极组2和负电极组3之间的衬底通道两侧且位于第一射频电极15和第二射频电极16之间，所述防沉积保护件18为水平设置的长条形，其长度大于所述薄膜沉积区5的长度，防沉积保护件18的内侧开设有保护金属薄带12边缘的保护槽18a，保护槽18a的宽度不小于夹持电极10与金属薄带12边缘之间的夹持宽度，保护槽18a的高度大于金属薄带12的厚度。

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