长鑫存储技术有限公司左敏获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利晶圆处理装置及晶圆处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208181B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310709507.3，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权晶圆处理装置及晶圆处理方法是由左敏设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆处理装置及晶圆处理方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种晶圆处理装置及晶圆处理方法。晶圆处理装置包括气帘装置。气帘装置包括：设置于真空腔室的阀门侧的进气结构，设置于真空腔室的排气侧的排气结构，与排气结构相连通并沿排气结构的两侧分别延伸至阀门侧的第一管路和第二管路，与进气结构、排气结构、第一管路、第二管路分别连接的控制装置。控制装置被配置为：于真空腔室的阀门开启前控制进气结构在阀门的开合区域形成气流沿第一方向流动的第一气帘，并控制排气结构基于第一管路进行排气；于真空腔室的阀门关闭后控制进气结构关停第一气帘并在阀门的开合区域形成气流沿第二方向流动的第二气帘，以及控制排气结构基于第一管路和第二管路进行排气。本公开可以避免晶圆被氧化污染。
本发明授权晶圆处理装置及晶圆处理方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：真空腔室，以及设置于所述真空腔室腔壁上的气帘装置；其中，所述气帘装置包括： 进气结构，设置于所述真空腔室的阀门侧； 排气结构，设置于所述真空腔室的排气侧，所述排气侧为所述阀门侧的对侧； 第一管路和第二管路，与所述排气结构相连通并沿所述排气结构的两侧分别延伸至所述阀门侧； 控制装置，与所述进气结构、所述排气结构、所述第一管路、所述第二管路分别连接，被配置为：于所述真空腔室的阀门开启前控制所述进气结构在所述阀门的开合区域形成气流沿第一方向流动的第一气帘，并控制所述排气结构基于所述第一管路进行排气；于所述真空腔室的阀门关闭后控制所述进气结构关停所述第一气帘并在所述阀门的开合区域形成气流沿第二方向流动的第二气帘，以及控制所述排气结构基于所述第一管路和所述第二管路进行排气；其中，所述第二方向与所述第一方向相交。
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