芯联集成电路制造股份有限公司陈智伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利接触孔测试结构及其制造方法、检测接触孔过度刻蚀的方法和半导体器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411293708.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权接触孔测试结构及其制造方法、检测接触孔过度刻蚀的方法和半导体器件结构是由陈智伟设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本接触孔测试结构及其制造方法、检测接触孔过度刻蚀的方法和半导体器件结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种接触孔测试结构及其制造方法、检测接触孔过度刻蚀的方法和半导体器件结构，接触孔测试结构包括：衬底；位于衬底中的第一阱区，以及位于第一阱区中的第二阱区；位于第二阱区表面上的第二金属硅化物层以及位于部分第一阱区表面的第一金属硅化物层，第一金属硅化物层与第二金属硅化物层间隔设置；位于第一金属硅化物层与第二金属硅化物层上的介质层，以及位于介质层中与第一金属硅化物层电连接的第一接触孔结构和与第二金属硅化物层电连接的第二接触孔结构；分别与第一接触孔结构电连接的第一测试端和与第二接触孔结构电连接的第二测试端。本发明能够通过得到的电学性能测试数据来判断接触孔是否出现刻穿现象，更加省时省力。
本发明授权接触孔测试结构及其制造方法、检测接触孔过度刻蚀的方法和半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种接触孔测试结构，其特征在于，所述接触孔测试结构包括： 衬底； 位于所述衬底中的具有第一导电类型的第一阱区，以及位于所述第一阱区中的具有第二导电类型的第二阱区； 位于所述第二阱区表面上的第二金属硅化物层以及位于部分所述第一阱区表面的第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层与所述第二金属硅化物层间隔设置； 位于所述第一金属硅化物层与所述第二金属硅化物层上的介质层，以及位于所述介质层中的第一接触孔结构和第二接触孔结构，所述第一接触孔结构与所述第一金属硅化物层电连接，所述第二接触孔结构与所述第二金属硅化物层电连接； 第一测试端和第二测试端，所述第一测试端与所述第一接触孔结构电连接，所述第二测试端与所述第二接触孔结构电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人芯联集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励