长鑫存储技术有限公司肖德元获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212376B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310713541.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由肖德元;杨晨;金泰均;邱云松;蒋懿;廖昱程设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供衬底，衬底的器件区包括第一子区和第二子区；位于第一子区的第一子隔离结构包括填满第一子沟槽的第一介质层，位于第二子区的第二子隔离结构包括依次覆盖第二子沟槽侧壁和底部的第一介质层、第一隔离层和填满第二子沟槽的第二介质层；去除第一子沟槽内的部分第一介质层和第二子沟槽内的部分第一介质层和第二介质层，以分别暴露出有源柱的至少部分侧壁和第一隔离层的至少部分侧壁；去除第二子沟槽内暴露出的部分第一隔离层。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括： 提供衬底，所述衬底包括器件区和外围区，所述器件区包括第一子区和第二子区，所述第二子区位于所述第一子区和所述外围区之间；所述器件区的衬底包括沿第一方向延伸的多个第一隔离结构和沿第二方向延伸的多个第二隔离结构，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构共同隔离出多个有源柱；所述第一隔离结构包括位于所述第一子区的第一子隔离结构和位于所述第二子区的第二子隔离结构，所述第一子隔离结构包括填满第一子沟槽的第一介质层，所述第二子隔离结构包括依次覆盖第二子沟槽侧壁和底部的第一介质层、第一隔离层和填满第二子沟槽的第二介质层；其中，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述衬底且所述第一方向和所述第二方向相交； 去除所述第一子沟槽内的部分第一介质层和所述第二子沟槽内的部分第一介质层和第二介质层，以分别暴露出所述有源柱的至少部分侧壁和所述第一隔离层的至少部分侧壁； 去除所述第二子沟槽内暴露出的部分第一隔离层。
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