买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310722595.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法是由白文琦设计研发完成，并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括有源区，有源区包括阵列区和围设于阵列区外周的外围区；形成阵列晶体管和第一外围晶体管，阵列晶体管的沟道区导电类型和第一外围晶体管的沟道区导电类型相同，阵列晶体管位于阵列区，第一外围晶体管位于外围区；形成第二外围晶体管，第二外围晶体管的沟道区导电类型与阵列晶体管的沟道区导电类型不同，第二外围晶体管位于外围区。本公开能够有效简化半导体结构的制程，降低制备成本。

本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括有源区，所述有源区包括阵列区和围设于所述阵列区外周的外围区； 形成阵列晶体管和第一外围晶体管，所述阵列晶体管的沟道区导电类型和所述第一外围晶体管的沟道区导电类型相同，所述阵列晶体管位于所述阵列区，所述第一外围晶体管位于所述外围区； 形成第二外围晶体管，所述第二外围晶体管的沟道区导电类型与所述阵列晶体管的沟道区导电类型不同，所述第二外围晶体管位于所述外围区； 形成所述阵列晶体管和所述第一外围晶体管，包括： 形成第一外围阱区和阵列阱区，所述第一外围阱区位于所述外围区，所述阵列阱区位于所述阵列区； 形成第一外围栅结构和阵列栅结构，所述第一外围栅结构位于所述衬底上，所述阵列栅结构位于所述衬底中，且所述阵列栅结构与所述阵列阱区的阵列沟道对应，所述第一外围栅结构与所述第一外围阱区的第一外围沟道对应； 形成阵列源区、阵列漏区、第一外围源区和第一外围漏区，所述阵列源区和所述阵列漏区均位于所述阵列阱区中，并分别位于所述阵列沟道的相对两侧，所述第一外围源区和所述第一外围漏区均位于所述第一外围阱区中，并分别位于所述第一外围沟道的相对两侧； 其中，所述阵列阱区、所述阵列源区、所述阵列沟道、所述阵列漏区和所述阵列栅结构共同形成所述阵列晶体管，所述第一外围阱区、所述第一外围源区、所述第一外围沟道、所述第一外围漏区和所述第一外围栅结构共同形成所述第一外围晶体管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。