长鑫存储技术有限公司白文琦获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212378B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310722616.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法是由白文琦设计研发完成，并于2023-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，衬底具有间隔设置的阵列有源区和外围有源区；形成外围沟道，外围沟道位于外围有源区中；形成埋入式字线，埋入式字线位于阵列有源区中，且与阵列有源区中的阵列沟道对应；形成位线接触结构和外围栅结构，外围栅结构和位线接触结构均位于衬底上，外围栅结构与外围沟道对应，位线接触结构与阵列有源区对应且连接；掺杂处理部分衬底和位线接触结构，在阵列有源区和外围有源区的衬底中形成隔离阱。本公开可以简化半导体结构的制程。
本发明授权半导体结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有间隔设置的阵列有源区和外围有源区； 形成外围沟道，所述外围沟道位于所述外围有源区中； 形成埋入式字线，所述埋入式字线位于所述阵列有源区中，且与所述阵列有源区中的阵列沟道对应； 形成位线接触结构和外围栅结构，所述外围栅结构和所述位线接触结构均位于所述衬底上，所述外围栅结构与所述外围沟道对应，所述位线接触结构与所述阵列有源区对应且连接； 掺杂处理部分所述衬底和所述位线接触结构，在所述阵列有源区和所述外围有源区中形成隔离阱； 其中，掺杂处理部分所述衬底和所述位线接触结构，包括： 形成第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖所述衬底和所述位线接触结构，所述第一掩膜层的第一掩膜开口暴露部分所述阵列有源区和部分所述外围有源区，以及暴露所述位线接触结构； 沿所述第一掩膜开口掺杂暴露的所述衬底和所述位线接触结构，在所述阵列有源区和所述外围有源区中形成所述隔离阱。
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