北京超弦存储器研究院关超阳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212379B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310752977.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器及其制造方法、电子设备是由关超阳;韩宝东;刘健;罗东;金娇设计研发完成，并于2023-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种存储器及其制造方法、电子设备。在本申请实施例所提供的存储器的制造方法中，在刻蚀第一导电层、第一介质层和半导体层之前，先形成覆盖第一导电层的牺牲层，然后刻蚀牺牲层形成位于第一过孔中的牺牲结构，从而在刻蚀第一导电层、第一介质层和半导体层过程中，牺牲结构能够起到保护位于第一过孔中第一导电层、第一介质层和半导体层的作用，有利于保障后续工艺的进行，有利于降低存储器中晶体管的制造难度。
本发明授权存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底的一侧形成包含多个第一过孔的组合膜层；所述组合膜层包括多层交替堆叠第一介质膜层和第一导电膜层，所述组合膜层远离所述衬底的一侧设置有保护层； 依次形成覆盖所述保护层和所述第一过孔内壁的半导体层、第一介质层、第一导电层以及牺牲层，所述牺牲层填充满所述第一过孔； 刻蚀去除所述保护层上的所述牺牲层，保留所述第一过孔内的所述牺牲层，所述第一过孔内的牺牲层为牺牲结构； 以所述牺牲结构和所述保护层为刻蚀阻挡层，刻蚀去除所述保护层上的所述第一导电层、所述第一介质层和所述半导体层，保留位于所述第一过孔中的第一导电结构、第一介质结构和第一半导体结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励