长鑫存储技术有限公司郭帅获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119212389B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310708690.5，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权半导体结构及其制备方法是由郭帅设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及一种半导体结构及其制备方法。该方法包括：提供第一基底，并于第一基底的第一表面形成第一存储结构；提供第二基底，并于第二基底的第一表面形成第一控制结构；将第一基底键合于第二基底的第一表面侧，键合后，第一控制结构与第一存储结构电连接；于第二基底的第二表面形成第二控制结构，第二基底的第二表面为第二基底的第一表面的相对面；提供第三基底，并于第三基底的第一表面形成第二存储结构；将第三基底键合于第二基底的第二表面侧，键合后，第二存储结构和第二控制结构电连接。实现了一个相对设置的两个表面上均形成有控制结构的基底同时控制两个表面形成存储结构的基底的方式，提高了半导体结构的存储密度。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供第一基底，并于所述第一基底的第一表面形成第一存储结构； 提供第二基底，并于所述第二基底的第一表面形成第一控制结构； 将所述第一基底键合于所述第二基底的第一表面侧，键合后，所述第一控制结构与所述第一存储结构电连接； 于所述第二基底的第二表面形成第二控制结构，所述第二基底的第二表面为所述第二基底的第一表面的相对面； 提供第三基底，并于所述第三基底的第一表面形成第二存储结构； 将所述第三基底键合于所述第二基底的第二表面侧，键合后，所述第二存储结构和所述第二控制结构电连接。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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