长鑫存储技术有限公司唐怡获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119233624B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310750067.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储单元、存储器及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储单元、存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储单元、存储器及其制备方法。所述存储单元包括：晶体管和电容器。晶体管包括：半导体层、第一栅极和第二栅极。其中，半导体层包括沿第一方向延伸的第一部分，以及与第一部分的两端分别连接并沿第二方向延伸的第二部分和第三部分；第二方向和第一方向相交，第二部分背离第三部分的一侧与位线电性连接。第一栅极和第二栅极分别位于第一部分在第二方向上相对的两侧。电容器位于第三部分背离第二部分的一侧，并与第三部分电性连接。本公开利于提升存储器的存储密度、存储容量以及存储器的电学性能及可靠性。
本发明授权存储单元、存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 晶体管，包括：半导体层、第一栅极和第二栅极；所述半导体层包括沿第一方向延伸的第一部分，以及与所述第一部分的两端分别连接并沿第二方向延伸的第二部分和第三部分；所述第二方向和所述第一方向相交，所述第二部分背离所述第三部分的一侧与位线电性连接；所述第一栅极和所述第二栅极分别位于所述第一部分在所述第二方向上相对的两侧； 电容器，位于所述第三部分背离所述第二部分的一侧，并与所述第三部分电性连接； 其中，所述第一栅极和所述第二栅极中的一者包括沿远离所述第一部分的方向层叠且材料不同的第一子栅和第二子栅。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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