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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学;河南碳真芯材科技有限公司申请的专利一种MPCVD舱壁杂质的去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119259601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411672313.1，技术领域涉及：B08B9/08；该发明授权一种MPCVD舱壁杂质的去除方法是由朱嘉琦;文东岳;李一村;代兵;郝晓斌;赵继文;张森;刘本建设计研发完成，并于2024-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MPCVD舱壁杂质的去除方法在说明书摘要公布了：一种MPCVD舱壁杂质的去除方法，本发明是要解决MPCVD设备舱壁的杂质难以去除的问题。MPCVD舱壁杂质的去除方法：一、在水冷台上放置样品托以保护水冷台，关闭MPCVD系统舱盖，在微波能量激发下产生氢氧等离子体，利用氢氧等离子体刻蚀处理舱体内部；二、将去离子水湿润吸水纸，得到湿润的吸水纸，然后将湿润的吸水纸贴附在MPCVD系统的舱壁上；三、取下贴附的吸水纸，使用无水乙醇打湿无尘布，对舱壁擦拭干净；四、使用吸尘器清理MPCVD系统的舱体内部；五、再次在微波能量激发下产生氢氧等离子体，利用氢氧等离子体再次刻蚀处理舱体内部。本发明通过氢氧等离子体清洗与去离子水浸润，酒精擦拭即可去除沉积杂质。

本发明授权一种MPCVD舱壁杂质的去除方法在权利要求书中公布了：1.一种MPCVD舱壁杂质的去除方法，其特征在于所述MPCVD舱壁杂质的去除方法按照以下步骤实现： 一、舱壁氢氧等离子体清洗： 在水冷台上放置一块样品托以保护水冷台，关闭MPCVD系统舱盖，将氧气流量调至2‑6sccm，氢气流量调至198‑194sccm，调节舱体内气压为13‑15kpa，在微波能量激发下产生氢氧等离子体，利用氢氧等离子体刻蚀处理舱体内部，完成等离子体清洗； 二、浸润：等离子体刻蚀结束后打开舱盖，将去离子水湿润吸水纸，得到湿润的吸水纸，然后将湿润的吸水纸贴附在MPCVD系统的舱壁上，使舱壁处于完全浸润状态，保持浸润状态6‑14h； 三、酒精擦拭：浸润完成后，取下贴附的吸水纸，使用无水乙醇打湿无尘布，对舱壁反复擦拭干净； 四、杂质清理：使用吸尘器清理MPCVD系统的舱体内部，将粉末状沉积杂质吹除干净； 五、氢氧等离子体再清洗： 在水冷台上放置一块样品托以保护水冷台，关闭MPCVD系统舱盖，将氧气流量调至2‑6sccm，氢气流量调至198‑194sccm，调节舱体内气压为13‑15kpa，在微波能量激发下产生氢氧等离子体，利用氢氧等离子体再次刻蚀处理舱体内部，完成MPCVD舱壁杂质的去除方法。

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