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重庆大学陈文锁获国家专利权

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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种OCL-LDO电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119270966B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411178736.8,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种OCL-LDO电路是由陈文锁;舒航;彭海清;朱坤峰;李剑设计研发完成,并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种OCL-LDO电路在说明书摘要公布了:本发明公开一种OCL‑LDO电路,包括带隙基准单元、超级源随器、偏置电路、功率晶体管MP、误差放大器、翻转电压跟随器、频率补偿单元和高通网络;本发明引入了一种独特的无输出电容低压差OCL‑LDO稳压器,其核心在于一个内嵌超级源随器SSF和高通网络的具有推挽能力的翻转电压跟随器FVF。这一结构巧妙地融合了带有高通网络的超级源随器SSF,内嵌于翻转电压跟随器FVF,从而实现了对瞬态响应的显著提升。

本发明授权一种OCL-LDO电路在权利要求书中公布了:1.一种OCL‑LDO电路,其特征在于:包括带隙基准单元、超级源随器、偏置电路、功率晶体管MP、误差放大器、翻转电压跟随器、频率补偿单元和高通网络; 所述带隙基准单元产生参考电压和参考电流; 所述带隙基准单元将参考电压输出至翻转电压跟随器,以及误差放大器的反相输入端,将参考电流输出至偏置电路; 所述超级源随器与功率晶体管MP的栅极连接,将栅极的寄生电容推向高频,保证功率晶体管MP输出电压的稳定; 所述偏置电路为OCL‑LDO电路中的电流源提供偏置电压; 所述功率晶体管MP执行充放电操作;功率晶体管放电时,功率晶体管MP的漏极作为LDO电路的输出端,向外输出电压; 所述误差放大器用于对输入的参考电压和反馈电压产生一级增益电压;所述反馈电压产生于误差放大器晶体管M1的栅极;由翻转电压跟随器中的晶体管M11、误差放大器中的晶体管M12构成的电流镜对一级增益电压进行复制,产生与参考电压VREF同大小的输出电压,并向外输出; 所述翻转电压跟随器形成局部环路,用于检测LDO电路输出端电压的变化,并抑制输出端的欠冲和过冲现象; 所述频率补偿单元跨接于LDO电路的输出端和超级源随器的输入端,用于优化系统的稳定性; 所述高通网络用于检测LDO电路输出端电压变化,并反馈给超级源随器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆大学,其通讯地址为:400044 重庆市沙坪坝区沙正街174号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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