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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利存储单元、存储结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277760B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310780288.8，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权存储单元、存储结构及其制备方法是由唐怡设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储单元、存储结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种存储单元、存储结构及其制备方法。存储单元包括：共享位线，沿第一方向延伸；共享字线，沿第三方向延伸，且共享字线包括写入字线部以及读取字线部；第一填充结构位于写入字线部的侧壁；写入沟道结构，包括写入栅介质层以及写入沟道层，写入栅介质层沿写入字线部的侧壁以及第一填充结构的各侧壁延伸，写入沟道层位于写入栅介质层的表面；隔离层，包括第一隔离部，第一隔离部位于写入沟道层远离共享字线的一侧；读取沟道结构，包括读取栅介质层以及读取沟道层，读取栅介质层沿第一隔离部的侧壁以及写入沟道层的侧壁延伸，读取沟道层沿共享位线侧壁、读取栅介质层表面以及读取字线部侧壁延伸。本公开实施例中可以有效提高存储密度。

本发明授权存储单元、存储结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种存储单元，其特征在于，包括： 共享位线，沿第一方向延伸； 共享字线，与所述共享位线沿第二方向排列，且所述共享字线沿第三方向延伸，且所述共享字线包括在所述第一方向上相互连接的写入字线部以及读取字线部，所述第一方向与所述第二方向相交，所述第一方向与所述第二方向确定的平面为第一平面，所述第三方向与所述第一平面相交； 第一填充结构，位于所述写入字线部的远离所述共享位线侧壁； 写入沟道结构，包括写入栅介质层以及写入沟道层，所述写入栅介质层沿所述写入字线部的朝向所述共享位线的侧壁、所述写入字线部的远离所述读取字线部的侧壁以及所述第一填充结构的各侧壁延伸，所述写入沟道层位于所述写入栅介质层的远离所述写入字线部一侧的表面而环绕所述写入字线部以及所述第一填充结构； 隔离层，包括第一隔离部，所述第一隔离部位于所述写入沟道层沿所述第一方向远离所述共享字线的一侧； 读取沟道结构，包括读取栅介质层以及读取沟道层，所述读取栅介质层沿所述第一隔离部远离所述共享字线的侧壁、所述第一隔离部远离所述共享位线的侧壁、所述写入沟道层远离所述写入栅介质层的侧壁延伸，所述读取沟道层沿所述共享位线的第二方向的侧壁、所述读取栅介质层远离所述写入沟道层一侧的表面以及所述读取字线部的第二方向的侧壁延伸。

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