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龙图腾网获悉海信家电集团股份有限公司申请的专利IGBT结构及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411364504.1，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT结构及半导体器件是由史世平;邹苹;吴晓婧;吴水银设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT结构及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种IGBT结构及半导体器件，IGBT结构包括：基体，漂移、第一导电类型的集电区、有源栅、第一导电类型的体区、第二导电类型的第一发射区和虚拟栅，所述虚拟栅自所述基体的第二主面向所述基体的第一主面延伸至所述漂移区中；其中，所述漂移区包括第一导电类型的第一柱区和第二导电类型的第二柱区，所述第一柱区和所述第二柱区在水平方向上交替设置；所述有源栅朝向所述第一主面的一端延伸至所述第二柱区中，所述虚拟栅朝向所述第一主面的一端延伸至所述第一柱区中。根据本申请的IGBT结构及半导体器件，可以显著降低导通损耗。

本发明授权IGBT结构及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种IGBT结构，其特征在于，包括： 基体100，所述基体100具有第一主面101及与第一主面101相反侧的第二主面102，所述第一主面101和所述第二主面102在竖直方向上间隔设置； 漂移区110，所述漂移区110设于所述第一主面101和所述第二主面102之间； 第一导电类型的集电区120，所述集电区120设于所述漂移区110朝向所述第一主面101的一侧，所述集电区120远离所述漂移区110的一侧构成所述第一主面101的至少部分； 有源栅130，所述有源栅130自所述第二主面102向所述第一主面101延伸至所述漂移区110中； 第一导电类型的体区140，所述体区140设于所述漂移区110朝向所述第二主面102的一侧，且位于所述有源栅130在水平方向上的两侧； 第二导电类型的第一发射区150，所述第一发射区150设于所述体区140朝向所述第二主面102的一侧，所述第一发射区150远离所述体区140的一侧构成部分所述第二主面102； 虚拟栅160，所述虚拟栅160自所述第二主面102向所述第一主面101延伸至所述漂移区110中； 其中，所述漂移区110包括第一导电类型的第一柱区111和第二导电类型的第二柱区112，所述第一柱区111和所述第二柱区112在水平方向上交替设置； 所述有源栅130朝向所述第一主面101的一端延伸至所述第二柱区112中，所述虚拟栅160朝向所述第一主面101的一端延伸至所述第一柱区111中； 其中，所述IGBT结构还包括第二导电类型的掺杂区180，所述掺杂区180位于所述虚拟栅160在水平方向上的两侧，且与所述第一发射区150接触，所述掺杂区180远离所述第一主面101的一侧构成所述第二主面102的至少部分。

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