南京航空航天大学陈志辉获国家专利权
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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种永磁体用量最优的永磁体设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119298463B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411379469.0,技术领域涉及:H02K1/278;该发明授权一种永磁体用量最优的永磁体设计方法是由陈志辉;段津津;朱嘉骏设计研发完成,并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种永磁体用量最优的永磁体设计方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种永磁体用量最优的永磁体设计方法,将永磁体沿周向等角度划分为j个单元,利用解析法分析单元永磁体产生的气隙磁密及各次谐波幅值;求解永磁体用量达到最优永磁体厚度随空间位置变化的表达式;对j个单元永磁体产生的与平均转矩相关k次气隙磁密进行叠加计算,得到永磁体产生的总气隙磁密k次谐波幅值;通过调整永磁体参数,使得平均转矩相关阶次的总气隙磁密幅值达到预设的幅值阈值;最后,输出永磁体最优参数,得到磁体用量达到最优的永磁体设计。利用本发明方法的永磁体设计方法,使得电机输出预设的平均转矩的同时可有效降低永磁体用量,从而提高了永磁体的利用率,降低了电机中的永磁体用量及相应成本。
本发明授权一种永磁体用量最优的永磁体设计方法在权利要求书中公布了:1.一种永磁体用量最优的永磁体设计方法,所述永磁体嵌于转子铁芯表面,且转子与定子同轴分布,其特征在于,包括以下步骤: 步骤1,将永磁体沿周向等角度划分为j个单元,每个单元的弧长所占的圆心角度为θΔm,利用解析法分析永磁体的单元随空间位置产生的气隙磁密,并进一步分析得到该气隙磁密的各次谐波幅值; 步骤2,选择与平均转矩相关的气隙磁密阶次k,对j个单元永磁体产生的k次气隙磁密进行叠加计算,得到永磁体产生的总气隙磁密k次谐波幅值; 步骤3,推导出永磁体用量达到最优时永磁体厚度随空间位置变化的表达式; 步骤4,基于永磁体用量达到最优时永磁体厚度随空间位置变化的表达式调整永磁体厚度参数C和永磁体弧长所占的圆心角度θm时,永磁体的厚度发生变化,永磁体的单元的弧长所占的圆心角度跟随改变,产生的气隙磁密的各次谐波幅值也跟着变化,则永磁体产生的总气隙磁密k次谐波幅值也随之调整; 调整永磁体厚度参数C和永磁体弧长所占的圆心角度θm,使得永磁体产生的总气隙磁密k次谐波幅值达到预设的幅值阈值,并将此时的永磁体厚度参数C和永磁体弧长所占的圆心角度θm作为最优厚度参数和最优圆心角度参数; 步骤5,输出最优厚度参数和最优圆心角度参数,得到永磁体用量达到最优的永磁体设计。
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