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龙图腾网获悉深圳尚阳通科技股份有限公司申请的专利半SGT MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300417B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411325484.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半SGT MOSFET器件是由曾大杰;李佳驹设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半SGT MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半SGTMOSFET器件中，在半导体衬底上形成有第一和第二外延层。终端区中的终端结构包括：二个以上环绕在有源区周侧的第一环形终端沟槽。在各第一环形终端沟槽中形成有终端源导电材料层。最外侧原胞沟槽和各第一环形终端沟槽都纵向穿过第二外延层；在最外侧原胞沟槽的底部和各第一环形终端沟槽的底部的第一外延层中都形成有第一注入区且在最外侧原胞沟槽内侧的第一外延层中未形成有第一注入区。最内侧的第一环形终端沟槽的内侧面和最外侧的第一环形终端沟槽的外侧面之间具有第一宽度。第一宽度保证终端区的耗尽区大小满足半SGTMOSFET器件的耐压要求。本发明能扩展终端区的耗尽区的大小，从而能提高器件的击穿电压。

本发明授权半SGT MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种半SGT MOSFET器件，其特征在于，在半导体衬底上形成有第一导电类型掺杂的第一外延层，在所述第一外延层的表面形成有第一导电类型掺杂的第二外延层；所述第一外延层的掺杂浓度小于所述第二外延层的掺杂浓度； 半SGT MOSFET器件分成有源区和终端区，所述终端区环绕在所述有源区的周侧； 在所述有源区中，所述第二外延层的表面形成有第二导电类型掺杂的沟道区，在所述沟道区的表面形成有第一导电类型重掺杂的源区； 在所述沟道区外侧还包括最外侧原胞沟槽，所述最外侧原胞沟槽的内侧表面和所述沟道区的外侧表面接触，所述最外侧原胞沟槽的外侧表面进入到所述终端区中； 在所述最外侧原胞沟槽中形成有原胞源导电材料层，所述原胞源导电材料层和所述最外侧原胞沟槽的内侧表面之间间隔有原胞源介质层； 在所述终端区中设置有终端结构，所述终端结构包括： 二个以上环绕在所述有源区周侧且环绕半径依次增加的第一环形终端沟槽； 在各所述第一环形终端沟槽中形成有终端源导电材料层，所述终端源导电材料层和所述第一环形终端沟槽的内侧表面之间间隔有终端源介质层； 所述最外侧原胞沟槽和各所述第一环形终端沟槽都纵向穿过所述第二外延层；在所述最外侧原胞沟槽的底部和各所述第一环形终端沟槽的底部的所述第一外延层中都形成有第二导电类型掺杂的第一注入区且在所述最外侧原胞沟槽内侧的所述第一外延层中未形成有所述第一注入区； 所述源区、所述沟道区、所述原胞源导电材料层和所述终端源导电材料层都通过顶部对应的接触孔连接到由正面金属层组成的源极； 最内侧的所述第一环形终端沟槽的内侧面和最外侧的所述第一环形终端沟槽的外侧面之间具有第一宽度； 各所述终端源导电材料层用于在反偏时对所述终端区中的所述第二外延层进行横向耗尽并使所述第二外延层的耗尽区横向展宽，所述第一注入区用于在反偏时增加对所述终端区中的第一外延层的纵向耗尽并使所述第二外延层的耗尽区底部的所述第一外延层的耗尽区展宽；反偏时，所述第一宽度保证所述终端区的耗尽区大小满足所述半SGT MOSFET器件的耐压要求； 所述第一外延层具有第一厚度，所述第二外延层具有第二厚度； 反偏时，所述有源区的耗尽区的纵向尺寸最大值为所述第一厚度加所述第二厚度，所述第一厚度和所述第二厚度的厚度和满足所述半SGT MOSFET器件的耐压要求； 所述第一宽度大于所述第一厚度的两倍。

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