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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317097B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310822188.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由郑玉宏;程媛;邵凯设计研发完成，并于2023-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括如下步骤：提供衬底；形成堆叠层于所述衬底的顶面上，所述堆叠层包括导电层、以及位于所述导电层上方的有源层；刻蚀所述堆叠层，形成沿第一方向贯穿所述堆叠层且沿第二方向间隔排布的多条第一沟槽，多条所述第一沟槽分隔所述导电层为多条第一导电线；刻蚀所述有源层，形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠层且沿第三方向间隔排布的多条第二沟槽，多条所述第一沟槽和多条所述第二沟槽分隔所述有源层为间隔排布的多个有源柱。本公开降低了半导体结构制程工艺的难度，改善了半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供衬底； 形成堆叠层于所述衬底的顶面上，所述堆叠层包括导电层、以及位于所述导电层上方的有源层； 刻蚀所述堆叠层，形成沿第一方向贯穿所述堆叠层且沿第二方向间隔排布的多条第一沟槽，多条所述第一沟槽分隔所述导电层为多条第一导电线，所述第一方向垂直于所述衬底的顶面，所述第二方向平行于所述衬底的顶面； 刻蚀所述有源层，形成沿所述第一方向贯穿所述堆叠层且沿第三方向间隔排布的多条第二沟槽，多条所述第一沟槽和多条所述第二沟槽分隔所述有源层为间隔排布的多个有源柱，所述第三方向平行于所述衬底的顶面，且所述第二方向与所述第三方向相交； 形成堆叠层于所述衬底的顶面上的具体步骤包括： 形成所述导电层于所述衬底的顶面上； 形成第一源漏层于所述导电层上； 形成沟道层于所述第一源漏层上； 形成第二源漏层于所述沟道层上，所述有源层包括所述第一源漏层、所述沟道层和所述第二源漏层； 形成堆叠层于所述衬底的顶面上的具体步骤还包括： 于所述第二源漏层上形成与所述第二源漏层电连接的接触层，所述堆叠层包括所述导电层、所述有源层和所述接触层。

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