浙江创芯集成电路有限公司汪森林获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411411530.5，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由汪森林;陶然设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：提供衬底；在衬底上沉积形成第一绝缘层；在第一绝缘层上沉积形成栅极层；在栅极层上形成具有栅极层图案的第一光刻胶层；以第一光刻胶层为掩膜，在第一绝缘层上以及栅极层的侧壁表面沉积形成第二绝缘层，第二绝缘层的顶部表面与栅极层的顶部表面齐平；在部分第二绝缘层的顶部表面形成源漏区；采用退火工艺，在源漏区上、部分第二绝缘层上以及栅极层上形成沟道层，沟道层的顶部表面与源漏区的顶部表面齐平。通过在第一绝缘层和第二绝缘层内形成栅极层，使得栅极层为埋入式结构，减少了栅极层与源漏区之间的重叠面积，降低产生寄生电容的可能性，避免出现栅极击穿现象。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上沉积形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上沉积形成栅极层； 在所述栅极层上形成具有栅极层图案的第一光刻胶层； 以所述第一光刻胶层为掩膜，在所述第一绝缘层上以及所述栅极层的侧壁表面沉积形成第二绝缘层，所述第二绝缘层的顶部表面与所述栅极层的顶部表面齐平； 在部分所述第二绝缘层的顶部表面形成源漏区； 在形成源漏区的步骤之后，还包括：对部分所述源漏区进行刻蚀，形成“L”型的源漏区； 采用退火工艺，在所述源漏区上、部分所述第二绝缘层上以及所述栅极层上形成沟道层，所述沟道层的顶部表面与所述源漏区的顶部表面齐平。
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