长鑫科技集团股份有限公司李群获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利一种半导体结构的制作方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310857278.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构的制作方法及半导体结构是由李群;马宏设计研发完成，并于2023-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制作方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，其中，半导体结构的制作方法包括：提供衬底，衬底具有多个沿第一方向间隔排布的第一沟槽，相邻的第一沟槽之间具有绝缘介质层；在衬底上形成覆盖第一沟槽表面的第一导电层和填充第一沟槽的第二导电层，第二导电层还形成在绝缘介质层上；对第二导电层进行图形化处理工艺，去除部分位于第一沟槽内的第二导电层，以形成第二沟槽，第二沟槽的顶表面高于绝缘介质层的顶表面，且第二沟槽暴露出部分绝缘介质层的侧壁及部分顶面；在第二沟槽中形成隔离结构。可以提高图形化处理工艺的对准精度。
本发明授权一种半导体结构的制作方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底具有多个沿第一方向间隔排布的第一沟槽，相邻的所述第一沟槽之间具有绝缘介质层； 在所述衬底上形成覆盖所述第一沟槽表面的第一导电层和填充所述第一沟槽的第二导电层，所述第二导电层还形成在所述绝缘介质层上； 对所述第二导电层进行图形化处理工艺，去除部分位于所述第一沟槽内的所述第二导电层，以形成第二沟槽，所述第二沟槽的顶表面高于所述绝缘介质层的顶表面，且所述第二沟槽暴露出部分所述绝缘介质层的侧壁及部分顶面； 在所述第二沟槽中形成隔离结构。
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