北京超弦存储器研究院马雪丽获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364771B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310914669.0，技术领域涉及：H10B51/30；该发明授权半导体器件及其制作方法、电子设备是由马雪丽;项金娟;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制作方法、电子设备。该半导体器件包括：衬底、介质层、第一导电层、第二导电层、第一隔离层和或第二隔离层，介质层的材料包括氧原子和第一金属原子；第一隔离层的材料包括氧原子和第二金属原子，第二金属原子与氧原子间的键能小于第一金属原子与氧原子间的键能；第二隔离层的材料包括氧原子和第三金属原子，第三金属原子与氧原子间的键能小于第一金属原子与氧原子间的键能。本申请实施例的隔离层由金属氧化物材料形成，既可以隔离导电层和介质层同时还可以为介质层提供氧，有助于降低介质层中氧空位量，从而提升半导体器件性能。
本发明授权半导体器件及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 介质层，位于所述衬底的一侧，所述介质层的材料包括氧原子和第一金属原子； 第一导电层，位于所述介质层靠近所述衬底的一侧； 第二导电层，位于所述介质层远离所述衬底的一侧，所述第二导电层在所述衬底上的正投影与所述第一导电层在所述衬底上的正投影有交叠；以及： 第一隔离层，位于所述第一导电层和所述介质层之间并与所述介质层接触，所述第一隔离层的材料包括氧原子和第二金属原子，所述第二金属原子与氧原子间的键能小于所述第一金属原子与氧原子间的键能；和或，第二隔离层，位于所述介质层和所述第二导电层之间并与所述介质层接触，所述第二隔离层的材料包括氧原子和第三金属原子，所述第三金属原子与氧原子间的键能小于所述第一金属原子与氧原子间的键能。
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