成都高真科技有限公司李夢燮获国家专利权
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龙图腾网获悉成都高真科技有限公司申请的专利一种半导体器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119383958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310937778.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件结构及其制备方法是由李夢燮设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件结构及其制备方法，方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成浅沟槽隔离件；在浅沟槽隔离件上形成多条阵列分布的位线结构；位线结构包括位线以及位于位线的相对侧壁上的位线侧墙；在多条位线结构上沉积半导体材料层；对半导体材料层顶部进行部分回刻，之后利用湿刻工艺对位线侧墙的外层、中间层以及所述半导体材料层进行部分去除，形成掩埋接触部；在位线结构掩埋接触部上沉积金属填充层，对金属填充层进行部分回刻。本申请去掉LP工艺，仅通过部分回刻后采用湿刻工艺将位线结构侧墙的外层和中层均进行部分去除，从而使得接触部顶部部位的面积最大化，保证了电容器的接触面积，提高了工艺效率，并节约了成本。
本发明授权一种半导体器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 提供一个半导体衬底； 在所述半导体衬底上形成浅沟槽隔离件； 在所述浅沟槽隔离件上形成多条阵列分布的位线结构；所述位线结构包括位线以及位于所述位线的相对侧壁上的位线侧墙；所述位线侧墙为三层结构，外层和内层均为氮化物层，中间层为氧化物层； 在多条所述位线结构上沉积半导体材料层； 对所述半导体材料层顶部进行部分回刻，之后利用湿刻工艺对所述位线侧墙的外层、中间层以及所述半导体材料层进行部分去除，形成掩埋接触部；所述掩埋接触部的顶面位于所述位线的顶面和地面之间； 在所述位线结构掩埋接触部上沉积金属填充层，对所述金属填充层进行部分回刻，使所述金属填充层的顶面齐平且所述金属填充层的顶面低于所述位线的顶面。
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