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龙图腾网获悉中国核动力研究设计院申请的专利一种用于提升同位素辐照生产转换率的中子能谱优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411530768.X，技术领域涉及：G16C20/10；该发明授权一种用于提升同位素辐照生产转换率的中子能谱优化方法是由夏羿;王国华;宋霁阳;刘润麒;彭星杰;邱立青;康长虎;刘畅;郭雨非;陆瑶;何宇豪;马立勇;张平;彭芳;张文琪;吴笛;邹雨彤设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于提升同位素辐照生产转换率的中子能谱优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种用于提升同位素辐照生产转换率的中子能谱优化方法，涉及反应堆工程技术领域，通过对同位素靶件和相关机构进行蒙卡建模；然后进行蒙卡临界计算，分别获取初始中子能谱；接下来基于初始中子能谱，对目标同位素进行中子能谱敏感性分析；之后在保持总中子通量不变的前提下，得到理想中子能谱；再比较初始与理想的中子能谱的差异，在蒙卡模型中的同位素靶件周围设置中子过滤器；继而通过更换中子过滤器的材质类型，再由蒙卡临界计算不同材质类型下的中子能谱，确定能够实现目标核素转换率提升的材质类型；最后基于确定的中子过滤器材质类型，获得优化后的中子能谱；能够提升同位素辐照的转化率，即同位素的生产效率。

本发明授权一种用于提升同位素辐照生产转换率的中子能谱优化方法在权利要求书中公布了：1.一种用于提升同位素辐照生产转换率的中子能谱优化方法，其特征在于：包括： S1.对高通量研究堆内的多种构件、堆芯以及同位素靶件1进行蒙卡建模； S2.采用临界源模式进行蒙卡临界计算，分别获取同位素靶件1所在辐照环境多个能量区间的中子通量，即初始中子能谱； S3.基于初始中子能谱，对目标同位素进行中子能谱敏感性分析； S4.在保持总中子通量不变的前提下，基于初始中子能谱和中子能谱敏感性分析的结果进行计算，得到理想中子能谱； S5.比较初始与理想的中子能谱差异，在蒙卡模型中的同位素靶件1周围设置中子过滤器2； S6.通过更换中子过滤器2的材质类型，再由蒙卡临界计算不同材质类型下的中子能谱，确定能够实现目标核素转换率提升的材质类型； S7.基于S6确定的中子过滤器2材质类型，计算相应的中子能谱，以及目标同位素的产量和转换率，最终获得优化后的中子能谱。

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