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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种GeSn合金能带计算方法及其系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119400320B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411517361.3，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种GeSn合金能带计算方法及其系统是由薛堪豪;谢山钟;缪向水设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GeSn合金能带计算方法及其系统在说明书摘要公布了：本发明属于半导体材料相关技术领域，其公开了一种GeSn合金能带计算方法及其系统，方法包括：获取进行结构优化后的Ge的参数文件；对结构优化后的Ge进行扩胞和掺杂Sn，建立目标GeSn合金的POSCAR输入文件，根据Ge的截断内外径和Sn的截断内外径建立GeSn合金的POTCAR输入文件，Ge的截断内径取值范围为1.80～1.90、外径取值范围为3.20～3.25，Sn的截断内径取值范围为1.40～1.50、外径取值范围为4.10～4.20，运行vasp程序对目标GeSn合金进行自洽计算，得到目标GeSn合金的带隙值和带隙类型，本发明能够准确模拟出不同浓度下的GeSn合金的电子结构，并准确计算其能带。

本发明授权一种GeSn合金能带计算方法及其系统在权利要求书中公布了：1.一种GeSn合金能带计算方法，其特征在于，包括： 获取进行结构优化后的Ge的参数文件，所述参数文件为运行vasp程序对Ge进行结构优化以使Ge能量最低所输出的CONTCAR输出文件，优化时vasp程序中的INCAR输入文件中的ENCUT参数范围设置为380～480、POTCAR输入文件选取vasp程序所提供的Ge的PAW‑LDA赝势、POSCAR输入文件描述了Ge的正交晶系的原胞晶体模型； 对结构优化后的Ge进行扩胞和掺杂Sn，建立目标GeSn合金的POSCAR输入文件，根据Ge的截断内外径和Sn的截断内外径建立GeSn合金的POTCAR输入文件，Ge的截断内径取值范围为1.80～1.90、外径取值范围为3.20～3.25，Sn的截断内径取值范围为1.40～1.50、外径取值范围为4.10～4.20，运行vasp程序对目标GeSn合金进行自洽计算，得到目标GeSn合金的带隙值和带隙类型。

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