新存科技(武汉)有限责任公司张日东获国家专利权
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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利相变存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403132B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411522584.9，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权相变存储器及其制造方法是由张日东;明帆;朱雨宁设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本相变存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种相变存储器及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，包括：第一存储单元；设于相邻所述第一存储单元之间的隔离层；设于所述第一存储单元一侧的第一导电线，所述第一导电线表面凸出于所述隔离层表面，相邻所述第一导电线和所述隔离层共同形成第一凹槽；形成覆盖所述第一凹槽侧壁和底部且覆盖所述第一导电线的第一介质层，以在所述第一凹槽中形成第二凹槽；形成覆盖所述第二凹槽侧壁和底部且覆盖所述第一介质层的第二介质层；进行平坦化处理，以暴露出所述第一导电线；其中，在所述平坦化处理中，对所述第二介质层的去除速率小于对所述第一介质层的去除速率。
本发明授权相变存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种相变存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供半导体结构，包括：第一存储单元；设于相邻所述第一存储单元之间的隔离层；设于所述第一存储单元一侧的第一导电线，所述第一导电线表面凸出于所述隔离层表面，相邻所述第一导电线和所述隔离层共同形成第一凹槽； 形成覆盖所述第一凹槽侧壁和底部且覆盖所述第一导电线的第一介质层，以在所述第一凹槽中形成第二凹槽； 形成覆盖所述第二凹槽侧壁和底部且覆盖所述第一介质层的第二介质层； 进行平坦化处理，以暴露出所述第一导电线；其中，在所述平坦化处理中，对所述第二介质层的去除速率小于对所述第一介质层的去除速率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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