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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利发光二极管外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421572B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411536420.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权发光二极管外延片及其制备方法是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光外延片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层和第二P型半导体层；第一电子阻挡层、第二电子阻挡层均为AlGaInN材料形成的单层或多层结构，且第一电子阻挡层的势垒高度大于第二电子阻挡层的势垒高度；第一P型半导体层为Mg掺AlGaInN材料形成的单层或多层结构，第二P型半导体层为Mg掺GaN材料形成的单层或多层结构，所述第一P型半导体层的掺杂浓度大于第二P型半导体层的掺杂浓度。实施本发明，可提升基于该发光二极管外延片的发光二极管的发光效率。

本发明授权发光二极管外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、第一电子阻挡层、第一P型半导体层、第二电子阻挡层和第二P型半导体层； 所述第一电子阻挡层包括依次层叠于所述多量子阱层上的第一超晶格层、第二超晶格层和第三超晶格层； 其中，所述第一超晶格层包括交替层叠的AlN层和第一GaN层，所述第二超晶格层包括交替层叠的AlwGa1‑wN层和第二GaN层，所述第三超晶格层包括交替层叠的AlxGa1‑xN层和Mg掺InαGa1‑αN层； 所述第一P型半导体层为Mg掺AlaInbGa1‑a‑bN层； 所述第二电子阻挡层包括依次层叠于所述第一P型半导体层上的第四超晶格层、第五超晶格层和第六超晶格层； 其中，所述第四超晶格层包括交替层叠的AlyGa1‑yN层和Mg掺InβGa1‑βN层；所述第五超晶格层包括交替层叠的AlzGa1‑zN层和Mg掺InγGa1‑γN层，所述第六超晶格层包括交替层叠的第一Mg掺GaN层和Mg掺InδGa1‑δN层； 所述第二P型半导体层为第二Mg掺GaN层； w≥x≥y≥z＞a，α≤β≤γ≤δ； 所述第一电子阻挡层的势垒高度大于所述第二电子阻挡层的势垒高度；所述第一P型半导体层的掺杂浓度大于所述第二P型半导体层的掺杂浓度。

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