厦门大学深圳研究院;厦门大学郭伟杰获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门大学深圳研究院;厦门大学申请的专利垂直堆叠全彩Micro-LED芯片与显示模组获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411312564.9，技术领域涉及：H10H29/24；该发明授权垂直堆叠全彩Micro-LED芯片与显示模组是由郭伟杰设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直堆叠全彩Micro-LED芯片与显示模组在说明书摘要公布了：本申请提出了垂直堆叠全彩Micro‑LED芯片与显示模组，设置有第一子芯片、第二子芯片、第三子芯片；其中，第一子芯片、第二子芯片和第三子芯片的侧壁与上下表面均设置有绝缘层，第一子芯片、第二子芯片和第三子芯片均设置有n型电极、n型半导体层、多量子阱发光层、p型半导体层和p型电极，多量子阱发光层位于n型半导体层与p型半导体层之间；第一子芯片发出蓝光，第二子芯片发出绿光，第三子芯片发出红光，三者垂直纵向堆叠；第二子芯片位于第一子芯片与第三子芯片之间；第一子芯片的p型半导体层与第二子芯片的p型半导体层面对面设置，第一子芯片的n型半导体层与第二子芯片的n型半导体层相互远离。以实现高可靠性的垂直堆叠全彩Micro‑LED芯片。
本发明授权垂直堆叠全彩Micro-LED芯片与显示模组在权利要求书中公布了：1.垂直堆叠全彩Micro‑LED芯片，设置有第一子芯片、第二子芯片、第三子芯片，其特征在于，所述第一子芯片、第二子芯片和第三子芯片的侧壁与上下表面均设置有绝缘层，所述第一子芯片、第二子芯片和第三子芯片均设置有n型电极、n型半导体层、多量子阱发光层、p型半导体层和p型电极，所述多量子阱发光层位于所述n型半导体层与所述p型半导体层之间；所述第一子芯片发出蓝光，所述第二子芯片发出绿光，所述第三子芯片发出红光，三者垂直纵向堆叠；所述第二子芯片位于所述第一子芯片与所述第三子芯片之间；所述第一子芯片的p型半导体层与所述第二子芯片的p型半导体层面对面设置，所述第一子芯片的n型半导体层与所述第二子芯片的n型半导体层相互远离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门大学深圳研究院;厦门大学，其通讯地址为：518063 广东省深圳市南山区高新南四道19号虚拟大学园R4-A601；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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