长鑫科技集团股份有限公司高远获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310976041.3，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的制作方法是由高远;刘国全;韩武豪;吕晖;汤政涛设计研发完成，并于2023-08-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决良率较低的技术问题。该制作方法包括：提供衬底，衬底包括阵列区和外围区；在阵列区形成多个间隔设置的第一有源区，以及环绕各第一有源区的第一填充槽；形成覆盖第一填充槽的侧壁和底壁、第一有源区的顶面的第一隔离层，以及填满剩余第一填充槽的第一支撑层；去除第一有源区的顶面的第一隔离层，保留位于第一填充槽的侧壁和底壁的第一隔离层；形成第二隔离层，第二隔离层覆盖第一有源区的顶面、剩余第一隔离层的顶面和第一支撑层的顶面。通过去除第一隔离层，消除第一隔离层的缺陷，并重新形成第二隔离层，第二隔离层的表面质量较好，以提高半导体结构的良率。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括阵列区和外围区； 在所述阵列区形成多个间隔设置的第一有源区，以及环绕各所述第一有源区的第一填充槽； 形成第一隔离层和第一支撑层，所述第一隔离层覆盖所述第一填充槽的侧壁和底壁，以及所述第一有源区的顶面，所述第一支撑层填满剩余的所述第一填充槽； 去除所述第一有源区的顶面的所述第一隔离层，保留位于所述第一填充槽的侧壁和底壁的所述第一隔离层，以暴露所述第一有源区的顶面； 形成第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一有源区的顶面、剩余所述第一隔离层的顶面和所述第一支撑层的顶面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫科技集团股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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