桂林理工大学雷秀云获国家专利权
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龙图腾网获悉桂林理工大学申请的专利一种随掺杂浓度增加发生荧光蓝移的Sb掺杂卤化物荧光材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119463858B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411513713.8，技术领域涉及：C09K11/62；该发明授权一种随掺杂浓度增加发生荧光蓝移的Sb掺杂卤化物荧光材料及其制备方法是由雷秀云;谢遵硕;尹从岭;周明;王建卫设计研发完成，并于2024-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种随掺杂浓度增加发生荧光蓝移的Sb掺杂卤化物荧光材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种随掺杂浓度增加发生荧光蓝移的Sb掺杂卤化物荧光材料及其制备方法。其所述的荧光粉化学式Cs2Ag0.7Li0.3In1‑xSbxCl6，其中x为Sb元素掺杂的摩尔百分比系数，0x0.1。通过在Cs2Ag0.7Li0.3InCl6掺杂Sb元素的方式，在保持钙钛矿结构的基础上，得到具有良好光学性能的卤化物荧光材料。该材料采用Sb3+作为激活离子，通过在Cs2Ag0.7Li0.3InCl6基体上调节Sb离子的掺杂浓度，实现荧光颜色由黄色到绿色的转变激发波长为335nm。发射波长最高峰从x=1%样品的583nm蓝移到x=10%样品的494nm左右。具有良好光致发光性且色彩稳定，广泛应用于发光二极管LED和荧光材料。
本发明授权一种随掺杂浓度增加发生荧光蓝移的Sb掺杂卤化物荧光材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种随掺杂浓度增加发生荧光蓝移的Sb掺杂卤化物荧光材料，其特征在于，其化学式Cs2Ag0.7Li0.3In1‑xSbxCl6，其中x为Sb元素掺杂的摩尔百分比系数,所述x=0.01‑0.1。
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