浙江创芯集成电路有限公司史晓明获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486246B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411585848.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由史晓明;郭建明设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底上具有栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成栅极侧墙，形成所述栅极侧墙的步骤包括：在所述栅极结构的侧壁上形成第一侧墙；在含氧环境气氛下，采用第一反应源气体，在所述第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙；在含氧和氦的混合气体的环境气氛下，采用第二反应源气体，在所述第二侧墙的侧壁上形成第三侧墙，其中，所述第一反应源气体中的氟含量高于所述第二反应源气体中的氟含量。采用上述技术方案，能够提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有栅极结构； 在所述栅极结构的侧壁上形成栅极侧墙，形成所述栅极侧墙的步骤包括：在所述栅极结构的侧壁上形成第一侧墙；在含氧环境气氛下，采用第一反应源气体，在所述第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙；在含氧和氦的混合气体的环境气氛下，采用第二反应源气体，在所述第二侧墙的侧壁上形成第三侧墙，其中，所述第一反应源气体中的氟含量高于所述第二反应源气体中的氟含量。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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