华中科技大学郭新获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种电化学工艺制备柔性氧化物忆阻器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119522035B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411715140.7，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种电化学工艺制备柔性氧化物忆阻器阵列的方法是由郭新;化帅斌;金天;张乐;汪亮设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电化学工艺制备柔性氧化物忆阻器阵列的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种利用电化学阳极氧化技术制备柔性氧化物忆阻器阵列的方法，属于柔性半导体器件与电化学的交叉领域。使用掩模版在柔性基底上沉积出多个相互独立的惰性底电极；使用掩模版在得到的惰性底电极上分别沉积出活性金属层；在各个惰性底电极上添加连接棒使所有惰性底电极连接为一个整体，以保证电流传导时的均匀性和整体性；将连接棒连接到电源的正极，将所有活性金属层完全浸泡在电解液中进行阳极氧化，使活性金属层氧化为氧化物中间层；在氧化物中间层上沉积顶电极，然后去除连接棒，即得到柔性氧化物忆阻器阵列。本发明采用一种快速方便的工艺来制备柔性忆阻器阵列提升了阳极氧化制备忆阻器阵列的效率和均匀性。
本发明授权一种电化学工艺制备柔性氧化物忆阻器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种电化学工艺制备柔性氧化物忆阻器阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1使用掩模版在柔性基底上沉积出多个相互独立的惰性底电极； 2使用掩模版在步骤1得到的惰性底电极上分别沉积出活性金属层；所述活性金属层的材料为过渡金属中能够被氧化的金属； 3在各个惰性底电极上添加连接棒使所有惰性底电极连接为一个整体，以保证电流传导时的均匀性和整体性；将所述连接棒连接到电源的正极，将所有活性金属层完全浸泡在电解液中；以所述活性金属层作为阳极，以铂、金、石墨或者不锈钢作为阴极，进行阳极氧化，电流通过惰性底电极传导到活性金属层，使活性金属层氧化为氧化物中间层；所述阳极氧化的电压范围为5‑24 V； 4在所述氧化物中间层上沉积顶电极，然后去除所述连接棒，即得到柔性氧化物忆阻器阵列。
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