长鑫科技集团股份有限公司刘小平获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119542328B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411640113.8，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权半导体结构及其制作方法和半导体器件是由刘小平;徐丹;黄铭辉设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法和半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其制作方法和半导体器件，该半导体结构包括：中介层，中介层中具有由中介层顶面朝向中介层内部延伸的孔槽和沟槽；电容，位于孔槽和沟槽中，电容包括依次层叠的第一电极层、电容介质层以及第二电极层，电容介质层覆盖第一电极层的表面，第二电极层覆盖电容介质层的表面；其中，沟槽还沿平行于中介层顶面的一预设方向延伸且连通多个沿预设方向间隔排列的孔槽，孔槽的宽度尺寸大于沟槽的宽度尺寸，宽度尺寸的方向平行于中介层顶面且与预设方向垂直。该半导体结构具有容量大、充放电快、集成度高的优点，其排布方式也能较好地解决应力问题。
本发明授权半导体结构及其制作方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 中介层，所述中介层中具有由所述中介层顶面朝向所述中介层内部延伸的孔槽和沟槽； 电容，位于所述孔槽和所述沟槽中，所述电容包括依次层叠的第一电极层、电容介质层以及第二电极层，所述电容介质层覆盖所述第一电极层的表面，所述第二电极层覆盖所述电容介质层的表面； 其中，所述沟槽还沿平行于所述中介层顶面的一预设方向延伸且连通多个沿所述预设方向间隔排列的所述孔槽，所述中介层中包括多条所述沟槽，在沿垂直于所述预设方向上，相邻所述沟槽所连通的多个所述孔槽交错排列，所述孔槽的宽度尺寸大于所述沟槽的宽度尺寸，所述宽度尺寸的方向平行于所述中介层顶面且与所述预设方向垂直。
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