买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京科技大学申请的专利高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119553245B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411723520.5，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法是由张跃;刘欢;廖庆亮;赵璇;孙嘉彬;朱棋;钟雪亮;殷君豪;袁政;翁帆;张玉龙设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法，涉及复合材料制备的技术领域，本发明旨在解决铜层与石墨烯层之间的结合性较差，层间距较大，层间电子传输效果差，阻碍了石墨烯铜复合材料电导率的进一步提升的问题，本发明具体包括有以下步骤S1：准备石墨烯铜箔；S2：使用等离子体刻蚀技术，对所述石墨烯铜箔的正反两面的石墨烯层进行氧等离子刻蚀处理；S3：将两层以上所述步骤S2制得的氧刻蚀石墨烯铜箔进行层状堆叠，并且上层氧刻蚀石墨烯铜箔的反面对准下层氧刻蚀石墨烯铜箔的正面设置，以得到多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料；S4：将所述多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料进行真空热压，得到氧刻蚀石墨烯铜复合材料。

本发明授权高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高导电氧刻蚀石墨烯铜复合材料制备方法，其特征在于，具体包括有以下步骤： S1：准备石墨烯铜箔，所述石墨烯铜箔包括有铜基层，所述铜基层的正反两面均通过化学气相沉积有石墨烯层； S2：使用等离子体刻蚀技术，对所述石墨烯铜箔的正反两面的石墨烯层进行氧等离子刻蚀处理，以形成氧刻蚀石墨烯铜箔； S3：将两层以上所述步骤S2制得的氧刻蚀石墨烯铜箔进行层状堆叠，并且上层氧刻蚀石墨烯铜箔的反面对准下层氧刻蚀石墨烯铜箔的正面设置，以得到多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料； S4：将所述步骤S3中的多层氧刻蚀石墨烯铜箔材料进行真空热压，使相邻两层石墨烯铜箔之间实现成键结合，得到氧刻蚀石墨烯铜复合材料； 所述步骤S2中所述氧等离子刻蚀使用的氧气流量为15sccm，等离子体处理功率为20‑60w，处理时间为2‑25s； 所述步骤S4中热压压力为100MPa，热压温度为1000℃，热压时间为30min。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京科技大学，其通讯地址为：100083 北京市海淀区学院路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。