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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种双模式低压差线性稳压器及其芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119576064B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411759777.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种双模式低压差线性稳压器及其芯片是由卢文娟;李高排;彭春雨;吴秀龙;胡薇;戴成虎;赵强;蔺智挺设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双模式低压差线性稳压器及其芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及电子电路技术领域中的一种双模式低压差线性稳压器及其芯片。稳压器包括：运算放大器、N型晶体管Q1～Q2、PMOS管PM1～PM2、电流源Ibias1～Ibias2、开关S1～S2、开关JUMP、电阻R1～R2、输出电容Co。重载配置：控制S1、开关JUMP断开，控制S2闭合；轻载配置：控制S1、开关JUMP闭合，控制S2断开。因此重载配置使用Q2，有较高的负载驱动能力；轻载配置不再使用Q2，选择Q1为功率管，实现一定的驱动能力，同时节省部分版图面积，根据实际应用场景切换不同工作模式，得到稳定的输出电压。经过实验仿真，本发明电路在功能上可以在不损失性能的前提下，实现两种配置的切换，同时可以复用电压跟随器中面积最大的Q2，实现面积优化。

本发明授权一种双模式低压差线性稳压器及其芯片在权利要求书中公布了：1.一种双模式低压差线性稳压器，其特征在于，其输出端V0具有两种输出配置：分别驱动大、小电流负载的重载配置和轻载配置；所述稳压器包括： 运算放大器，其负输入端接前一级带隙基准电路输出电压VREF； 电压跟随器，其包括PMOS管PM1～PM2、N型晶体管Q1、电流源Ibias1～Ibias2、开关S1～S2；PM1的源极接电源电压VDD，VDD还经由Ibias1接Q1的集电极，PM1的栅极不仅接Q1的集电极还经由S1接运算放大器的输出端，Q1的发射极经由Ibias2接地GND，Q1的基极接固定偏置电压Vbias；PM1的漏极接PM2的源极，PM2的栅极经由S2接运算放大器的输出端，PM2的漏极接Q1的发射极； 辅助电路，其包括N型晶体管Q2、开关JUMP以及输出电容Co，开关JUMP的两端分别接Q2的基极和发射极，Q2的基极接PM1的漏极，Q2的发射极经由C0接地GND，Q2的集电极接电池电压BAT，从Q2的发射极引出输出端V0； 反馈电路，其包括电阻R1～R2；R1的一端接Q2的发射极，R1的另一端不仅接运算放大器的正输入端还经由R2接地GND； 其中，重载配置：控制S1、开关JUMP断开，控制S2闭合； 轻载配置：控制S1、开关JUMP闭合，控制S2断开。

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