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龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584822B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411405266.4，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺是由张永爱;翁书臣;邹振游;林怡彬;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，包括：在衬底上镀膜第一半导体层统一制备第一有源层图案和第二有源层图案；在第一有源层图案和第二有源层图案上进行掺杂或镀膜，制备薄膜晶体管开关和放大场效应晶体管的源极和漏极；之后统一制备发光单元的栅极调控电极、电压源引出电极以及数据引线引出电极；接着制备二氧化硅绝缘层图案；在二氧化硅绝缘层图案上制备第二电极；在第二电极上制备发光功能层；最后统一制备第一电极、薄膜晶体管开关的栅极以及放大场效应晶体管的栅极。本发明提供了一种在进行统一栅压调控时，能够根据灰阶值变化做到自适应的栅压调整的发光器件，并简化其制备工艺。

本发明授权一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种基于栅极调控灰阶的发光器件的制备工艺，其特征在于，所述工艺包括： 步骤S1、在衬底上镀膜第一半导体层，对所述第一半导体层进行光刻，形成第一有源层图案和第二有源层图案；其中，所述发光器件包括发光单元、薄膜晶体管开关以及放大场效应晶体管，所述第一有源层为所述薄膜晶体管开关的有源层，所述第二有源层为所述放大场效应晶体管的有源层； 步骤S2、在所述第一有源层图案和所述第二有源层图案上进行掺杂或镀膜，制备所述薄膜晶体管开关和所述放大场效应晶体管的源极和漏极； 步骤S3、在所述衬底、所述薄膜晶体管开关的源极和漏极以及所述放大场效应晶体管的源极和漏极上镀膜第二导电层，对所述第二导电层进行光刻，形成所述发光单元的栅极调控电极、电压源引出电极以及数据引线引出电极；其中，所述栅极调控电极与所述放大场效应晶体管的漏极相连接，所述电压源引出电极搭架在所述放大场效应晶体管的源极上，所述数据引线引出电极搭架在所述薄膜晶体管开关的源极上； 步骤S4、在所述栅极调控电极、所述薄膜晶体管开关的源极和漏极以及所述放大场效应晶体管的源极和漏极上镀膜二氧化硅绝缘层，对所述二氧化硅绝缘层进行光刻，形成二氧化硅绝缘层图案； 步骤S5、在所述二氧化硅绝缘层图案上制备第二电极；在所述第二电极上制备发光功能层； 步骤S6、在所述二氧化硅绝缘层和所述发光功能层上镀膜透明导电层，对所述透明导电层进行光刻，形成第一电极、所述薄膜晶体管开关的栅极以及所述放大场效应晶体管的栅极； 步骤S7、利用第一金属引线通过打井将所述第一电极连接至所述薄膜晶体管开关的漏极；利用第二金属引线将所述第一电极连接至所述放大场效应晶体管的栅极。

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