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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种提升YBCO纳米线IV特性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584846B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411677603.5，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种提升YBCO纳米线IV特性的方法是由刘雨晴;马惠琴;汪洋;赵泽帅;王显福;李鹏;熊杰设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升YBCO纳米线IV特性的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种提升YBCO纳米线IV特性的方法，属于单光子探测技术领域。该方法通过可控热处理和电压驱动增强处理相结合用于提升YBCO纳米线IV特性，通过本发明方法得到的YBCO纳米线，不仅可以增大临界电流Ic，提升临界电流密度Jc，Jc可提升至1.86MA·cm‑2，还能拓宽回滞窗口，使得超导态更加稳定，并且具有锐利的电压跳变；除此之外，也可使超导性能退化的纳米线器件从原始的磁通流状态变成明显的滞后状态，改善超导特性，从而恢复光探测的能力，大幅提升了探测器的探测灵敏度、时间分辨率和环境稳定性等性能，为未来基于YBCO纳米线的SNSPD的实现和应用拓展提供了强有力的支持。

本发明授权一种提升YBCO纳米线IV特性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升YBCO纳米线IV特性的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：在衬底表面生长YBCO薄膜，随后在YBCO薄膜表面原位生长非晶YBCO保护层，避免后续加工过程中YBCO薄膜与大气环境接触而发生退化； 步骤2：在非晶YBCO保护层贴附电极图案掩膜版，然后采用电子束蒸镀法制备金属电极，电极制备结束后，取下掩膜版，随后采用等离子体增强原子层沉积方法生长氧化铝保护层； 步骤3：利用紫外光刻结合低温电感耦合等离子体反应离子刻蚀制备YBCO微米线； 步骤4：利用电子束光刻结合低温电感耦合等离子体反应离子刻蚀制备YBCO纳米线； 步骤5：将步骤4得到的YBCO纳米线放置于等离子体增强原子层沉积系统的腔室内，在特定工作气氛下进行热处理，反应结束后，自然冷却，待其冷却至室温后取出； 步骤6：将步骤5得到的YBCO纳米线放于温控直流探针台，采用电压驱动增强方法对纳米线进行处理，处理过程为：在4K低温下，以一定电压步进增加外电场调控电压值，直至临界电压阈值，每个外电场调控电压值下进行一次IV回滞曲线测试，结束后可得到所需的具有良好IV特性的YBCO纳米线；其中，临界电压阈值为8‑20V，电压步进值为1‑3V。

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