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龙图腾网获悉杭州麦科斯韦网络科技有限公司申请的专利基于小信号时谐有限元分析的永磁同步电机白盒高频阻抗建模方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119598794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411645018.7，技术领域涉及：G06F30/23；该发明授权基于小信号时谐有限元分析的永磁同步电机白盒高频阻抗建模方法是由方卫中;朱洒;晋兆海;陆天雄设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于小信号时谐有限元分析的永磁同步电机白盒高频阻抗建模方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于小信号时谐有限元分析的永磁同步电机白盒高频阻抗建模方法，包括：建立静电场有限元模型，计算考虑介电损耗的静态耦合电容；建立静磁场有限元模型，计算硅钢片每个有限元网格的DRT；建立包含所有铜导体的时谐有限元分析模型；将线圈区域设置为相对复磁导率，求解出线圈区域等效复磁导率；建立小信号时谐有限元模型；建立端部线圈的时谐电磁有限元模型，计算频率相关的端部线圈电感和电阻；利用考虑介电损耗的电容、端部线圈电感和电阻、小信号时谐有限元模型构建白盒高频场‑路耦合小信号时谐有限元模型；计算得到d、q轴的不同频率下的差模和共模阻抗。本发明可以在设计阶段准确预测PMSM的HF阻抗特性。

本发明授权基于小信号时谐有限元分析的永磁同步电机白盒高频阻抗建模方法在权利要求书中公布了：1.一种基于小信号时谐有限元分析的永磁同步电机白盒高频阻抗建模方法，其特征在于，包括以下步骤： 1建立静电场有限元模型，计算静态耦合电容；所述的静态耦合电容包括线圈、定子、转子之间的电容； 2将步骤1得到的静态耦合电容转换为考虑介电损耗的电容； 3建立静磁场有限元模型，计算确定硅钢片每个有限元网格的直流偏置磁感应强度； 并进一步确定硅钢片每个有限元网格的频变复数增量张量磁阻率DRT； 4建立一个槽内包含所有铜导体的单槽时谐有限元分析模型，计算不同频率下的差模电阻和电感、共模电阻和电感； 5将线圈区域设置为相对复磁导率，求解电阻和电感的变化率； 6结合步骤4和5求出线圈区域等效复磁导率； 7建立永磁同步电机的小信号时谐有限元模型，其模型中硅钢材料为步骤3得到的频变复数增量张量磁阻率DRT，线圈区域材料为步骤6得到的等效复磁导率； 8建立一个端部线圈的时谐电磁场‑路耦合有限元模型，计算随频率变化的端部线圈电感和电阻； 9利用步骤2得到的电容、步骤8得到的端部线圈电感和电阻、步骤7得到的小信号时谐有限元模型，构建永磁同步电机的白盒高频场‑路耦合小信号时谐有限元模型； 10计算步骤9形成的场‑路耦合小信号时谐有限元模型，得到d、q轴的不同频率下的差模和共模阻抗。

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