中国计量科学研究院;合肥国家实验室;中国科学技术大学王仕建获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量科学研究院;合肥国家实验室;中国科学技术大学申请的专利耦合约瑟夫森结的共面谐振腔的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119604183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411544050.6,技术领域涉及:H10N60/01;该发明授权耦合约瑟夫森结的共面谐振腔的制备方法是由王仕建;容涛;王雪深;李劲劲;徐昱;朱晓波;潘建伟设计研发完成,并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本耦合约瑟夫森结的共面谐振腔的制备方法在说明书摘要公布了:本公开提出了一种耦合约瑟夫森结的共面谐振腔的制备方法,包括:在衬底表面形成包括第一铌层、铝‑氧化铝层和第二铌层的第一叠层结构;再在第二铌层的表面形成第一掩模,以定义约瑟夫森结区域,并对约瑟夫森结区域外的部分进行预保护,刻蚀并进行阳极氧化;再去除第一掩模和约瑟夫森结区域外的第二铌层,通过碱性显影液腐蚀铝‑氧化铝层,以在不损伤第一铌层的情况下,暴露第一铌层;再在第一铌层表面定义位于约瑟夫森结区域两侧的谐振腔区域和底电极区域并去除第一铌层;在约瑟夫森结区域的第二叠层结构表面和谐振腔区域依次沉积绝缘层、导线层,在底电极区域沉积电阻层。
本发明授权耦合约瑟夫森结的共面谐振腔的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种耦合约瑟夫森结的共面谐振腔的制备方法,包括: 提供衬底,在所述衬底表面形成第一叠层结构,其中,沿着远离所述衬底的方向,所述第一叠层结构依次包括第一铌层、铝‑氧化铝层和第二铌层; 在所述第二铌层的表面形成图案化的第一掩模,以定义约瑟夫森结区域,并通过所述第一掩模对所述约瑟夫森结区域外的部分进行预保护并刻蚀; 进行阳极氧化,以在所述约瑟夫森结区域形成第二叠层结构,所述第二叠层结构包括氧化铌、氧化铝、氧化铌; 在去除所述第一掩模后,通过正型光刻胶的方法,对所述第二叠层结构保护,刻蚀所述约瑟夫森结区域外的第二铌层,以暴露所述约瑟夫森结区域外的铝‑氧化铝层,并通过碱性显影液腐蚀所述铝‑氧化铝层,以在不损伤所述第一铌层的情况下,暴露所述第一铌层,其中,所述通过碱性显影液腐蚀所述铝‑氧化铝层的操作包括:将所述碱性显影液与去离子水混合,滴加到所述约瑟夫森结区域外的铝‑氧化铝层,通过振荡,使得所述约瑟夫森结区域外的铝‑氧化铝层与所述碱性显影液形成络合物,并冲洗去除所述约瑟夫森结区域外的铝‑氧化铝层; 在所述第一铌层表面形成图案化的第二掩模,以分别定义位于所述约瑟夫森结区域两侧的谐振腔区域和底电极区域并去除第一铌层; 在所述约瑟夫森结区域的第二叠层结构表面和所述谐振腔区域沉积绝缘层,在所述绝缘层表面沉积导线层,在所述底电极区域沉积电阻层。
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