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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种消除输入失调的过流保护电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119627790B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411703820.7，技术领域涉及：H02H3/08；该发明授权一种消除输入失调的过流保护电路是由明鑫;王璇;罗宇澄;王卓;张波设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种消除输入失调的过流保护电路在说明书摘要公布了：本发明属于电源管理技术领域，特别涉及一种消除输入失调的过流保护电路。本发明包括SW采样模块、基准电压产生模块、电平位移模块、运算放大器模块、第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门和电容，本发明通过复用运算放大器电路，使其在时钟控制下交替工作在运放和比较器模式之间，实时校准输入失调电压，从而提高过流检测的精度和可靠性。

本发明授权一种消除输入失调的过流保护电路在权利要求书中公布了：1.一种消除输入失调的过流保护电路，用于对半桥结构中的NLDMOS功率管进行过流检测，其特征在于，包括SW采样模块、基准电压产生模块、电平位移模块、运算放大器模块、第一传输门、第二传输门、第三传输门、第四传输门和电容； 所述SW采样模块用于对半桥结构中的开关结点电压进行采样，得到的采样电压作为第一传输门的输入； 所述基准电压产生模块用于将基准电流转换为基准电压，基准电压作为第二传输门的输入； 第一传输门的输出和第二传输门的输出作为电平位移模块的输入，电平位移模块对输入电压进行位移之后输出到运算放大器模块的同相端； 所述运算放大器模块的输出接第三传输门和第四传输门的输入，第三传输门的输出接运算放大器的反相输入端和电容的一端，电容的另一端接地，第四传输门的输出为过流保护电路的输出； 所述开关结点电压为方波信号，最高电平近似为功率管供电电源信号VDD_H，为高压信号，最低电平近似为参考地信号GND，占空比50％；所述SW采样模块包括第一NMOS管和第一偏置电流源Ib1，其中第一NMOS管为NLDMOS管，漏极接开关结点电压，栅极电压VG为半桥结构中的下功率管栅极电压，源极接第一偏置电流源Ib1和第一传输门的输入，第一偏置电流源Ib1为第一NMOS管提供偏置电流； 所述基准电压产生模块包括第二NMOS管和第二偏置电流源IREF，其中第二NMOS管为NLDMOS管，漏极接第二偏置电流源IREF和第二传输门的输入，栅极接固定5V电压，源极接地； 第二偏置电流源IREF提供过流参考电流信号； 所述第一传输门、第二传输门、第三传输门和第四传输门由时钟信号CLK进行控制，CLK信号与开关结点电压的频率相同，最高电平为供电电源信号VDD_5V，最低电平为参考地信号GND，占空比50％；在CLK信号为高电平时，定义为φ1时段，第一传输门和第三传输门导通，第二传输门和第四传输门关断；CLK信号为低电平时，定义为φ2时段，第二传输门和第四传输门导通，第一传输门和第三传输门关断。

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