买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉闽都创新实验室申请的专利一种电流型栅极调控发光器件制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119630254B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411513943.4，技术领域涉及：H10K71/60；该发明授权一种电流型栅极调控发光器件制备工艺是由张永爱;翁书臣;邹振游;林怡彬;周雄图;吴朝兴;郭太良设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电流型栅极调控发光器件制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电流型栅极调控发光器件制备工艺，包括：在衬底上镀膜第一导电层，对第一导电层进行光刻，分别形成第一电极和栅极调控电极；通过薄膜沉积在第一电极上覆盖第一载流子材料，形成第一载流子传输层；在第一载流子传输层上均匀涂覆量子点半导体纳米晶体，形成量子点发光层；通过薄膜沉积在量子点发光层和栅极调控电极覆盖第二载流子材料，分别在量子点发光层上形成第二载流子传输层和在栅极调控电极上形成第二载流子调控层；在第二载流子传输层和第二载流子调控层上镀膜第二导电层，对第二导电层进行光刻，形成第二电极，进而获得电流型栅极调控发光器件。本发明简化了栅极调控电极发光器件制备工艺，提高制备效率。

本发明授权一种电流型栅极调控发光器件制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种电流型栅极调控发光器件制备工艺，其特征在于，所述工艺包括： 步骤S1、在衬底上镀膜第一导电层，对所述第一导电层进行光刻，分别形成第一电极和栅极调控电极； 步骤S2、通过薄膜沉积在所述第一电极上覆盖第一载流子材料，形成第一载流子传输层； 步骤S3、在所述第一载流子传输层上均匀涂覆量子点半导体纳米晶体，以使所述量子点半导体纳米晶体对所述第一载流子传输层进行覆盖，形成量子点发光层； 步骤S4、通过薄膜沉积在所述量子点发光层和所述栅极调控电极覆盖第二载流子材料，分别在所述量子点发光层上形成第二载流子传输层和在所述栅极调控电极上形成第二载流子调控层；其中，所述第二载流子传输层和所述第二载流子调控层互相独立； 步骤S5、在所述第二载流子传输层和所述第二载流子调控层上镀膜第二导电层，对所述第二导电层进行光刻，形成第二电极，进而获得电流型栅极调控发光器件；其中，所述第二电极覆盖在所述第二载流子传输层上，且部分搭架于所述第二载流子调控层上，并在所述第二载流子传输层和所述第二载流子调控层之间形成导电连接；所述栅极调控电极用于相对于所述第二电极施加栅压，所述栅压在所述栅极调控电极、所述第二载流子调控层以及所述第二电极之间形成调控电流，所述调控电流用于调控所述第二电极侧第二载流子的迁移率进而调整所述电流型栅极调控发光器件的发光效率和或发光亮度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人闽都创新实验室，其通讯地址为：350000 福建省福州市闽侯县上街镇高新大道32号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。