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龙图腾网获悉北京邮电大学;中国电子科技集团公司第五十四研究所;喀什地区电子信息产业技术研究院申请的专利一种太赫兹波段的并联式MEMS开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119651088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411630826.6，技术领域涉及：H01P1/10；该发明授权一种太赫兹波段的并联式MEMS开关是由黄建明;马银满;张乃柏;崔岩松;王子莱设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太赫兹波段的并联式MEMS开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种太赫兹波段的并联式MEMS开关，属于射频前端器件领域。其由自下至上层叠设置的第一层金属贴片，中间层介质板，第二层金属贴片与高阻偏置线，介电薄膜与金属桥墩，第三层金属贴片组成。其中第一层金属贴片为整体金属地；中间层介质板为整体介质层；第二层金属贴片包括共面波导信号地、共面波导信号线、直流偏置电极、开关驱动电极；第三层金属贴片包括开关金属梁和CPW封闭桥梁。开关的下驱动电极上覆有面积稍大的介电薄膜，而CPW信号地的中段设置了一段抬起桥梁，直流偏置线通过该桥梁走线并将开关下电极连接到直流偏置电极上。

本发明授权一种太赫兹波段的并联式MEMS开关在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹波段的并联式MEMS开关，包括自下至上层叠设置的第一层金属贴片，中间层介质板，第二层金属贴片与高阻偏置线，介电薄膜与金属桥墩以及第三层金属贴片，其特征在于： 所述第一层金属贴片为矩形金属地1； 所述中间层介质板为矩形介质层2； 所述第二层金属贴片包括环型共面波导信号地3、哑铃型共面波导信号线4、方形直流偏置电极和矩形开关驱动电极；所述的高阻偏置线包括正电压直流偏置线7和0V直流偏置线8； 所述哑铃型共面波导信号线4和矩形开关驱动电极均位于环型共面波导信号地内，其中矩形开关驱动电极设有两个，分别位于哑铃型共面波导信号线4腰部两侧；方形直流偏置电极包括正电直流极板和0V直流极板6； 所述环型共面波导信号地3中部设置过槽，正电压直流偏置线穿过过槽并将两矩形开关驱动电极连接在正电直流极板上；0V直流偏置线8连接环型共面波导信号地3和0V直流极板； 所述介电薄膜包括两个矩形介电薄膜、矩形介电薄膜分别置于对应矩形开关驱动电极的上表面；所述金属桥墩包括三组矩形桥墩，且三组矩形桥墩均置于环型共面波导信号地3上表面； 所述第三层金属贴片包括开关金属梁15和两个CPW封闭桥梁，其中两个CPW封闭桥梁通过对应的两组矩形桥墩位于过槽的上方；开关金属梁包括飞翼型单层金属结构和圆形触点对19；飞翼型单层金属结构悬空于环型共面波导信号地3上方，并通过矩形开关驱动电极两侧的矩形桥墩并联到环型共面波导信号地3；所述圆形触点对位于飞翼型单层金属结构的中间位置的下表面。

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