安徽格恩半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种氮化镓基半导体激光器元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119651346B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411758022.4，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种氮化镓基半导体激光器元件是由郑锦坚;邓和清;寻飞林;陈婉君;蔡鑫;李晓琴;黄军;张会康;张江勇;李水清设计研发完成，并于2024-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓基半导体激光器元件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种氮化镓基半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下波导层与有源层之间设置有电流诱导自旋极化层，所述下波导层、有源层和电流诱导自旋极化层中均具有菲利普电离度特性，所述电流诱导自旋极化层的菲利浦电离度≤下波导层的菲利浦电离度≤有源层的菲利浦电离度，所述电流诱导自旋极化层的菲利浦电离度具有函数y1＝A+B*exx第一象限曲线形状分布。本发明使激光器注入电流条件下，受电场作用会产生沿电流路径方向的自旋极化效应，中和激光器内部的压电极化和自发极化场，减少量子限制stark效应，降低电子泄漏和载流子去局域化，提升峰值增益和光功率。
本发明授权一种氮化镓基半导体激光器元件在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓基半导体激光器元件，包括从下至上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述下波导层与有源层之间设置有电流诱导自旋极化层，所述下波导层、有源层和电流诱导自旋极化层中均具有菲利普电离度特性，所述电流诱导自旋极化层的菲利浦电离度≤下波导层的菲利浦电离度≤有源层的菲利浦电离度，所述电流诱导自旋极化层的菲利浦电离度具有函数y1＝A+B*exx第一象限曲线形状分布，x为电流诱导自旋极化层往有源层方向的深度。
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