九江德福科技股份有限公司占俊雄获国家专利权
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龙图腾网获悉九江德福科技股份有限公司申请的专利铜箔及其制备方法、锂电铜箔、集流体、极片、电池和用电装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119654447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480002653.5，技术领域涉及：C25D1/04；该发明授权铜箔及其制备方法、锂电铜箔、集流体、极片、电池和用电装置是由占俊雄;罗佳;楚常顺;江泱;文敏;周祥祥设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本铜箔及其制备方法、锂电铜箔、集流体、极片、电池和用电装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种铜箔及其制备方法、锂电铜箔、集流体、极片、电池和用电装置。该铜箔具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的光泽度为Gs1，所述第二表面的光泽度为Gs2，Gs1＞Gs2，记所述第一表面和所述第二表面之间的截面晶体结构的晶粒拟合椭圆主直径为φED，单位为μm，所述φED满足：φED＝2*sqrta2+b2，且ΦED为0.1μm～6.5μm；其中，a、b分别为拟合椭圆所得到的长半径和短半径。该铜箔兼具较高抗拉强度和高延伸率，可减少铜箔在制造过程中和电池制造和使用过程中的断裂和打皱，提升电池的循环性和安全性。
本发明授权铜箔及其制备方法、锂电铜箔、集流体、极片、电池和用电装置在权利要求书中公布了：1.一种铜箔，其特征在于，所述铜箔具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面的光泽度为Gs1，所述第二表面的光泽度为Gs2，Gs1＞Gs2，记所述第一表面和所述第二表面之间的截面晶体结构的晶粒拟合椭圆主直径为ΦED，单位为μm，所述ΦED满足： ΦED＝2*sqrta2+b2，且ΦED为0.1μm～6.5μm； 其中，a、b分别为拟合椭圆所得到的长半径和短半径； 记所述铜箔中晶粒结构的均匀性为ΓGM，单位为μm，所述ΓGM满足： 且ΓGM为0.04μm～0.30μm； 其中，n为晶粒个数。
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