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龙图腾网获悉成都九天画芯科技有限公司申请的专利一种基于双栅晶体管的LCD像素驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311220558.6，技术领域涉及：G09G3/36；该发明授权一种基于双栅晶体管的LCD像素驱动电路是由张锦;请求不公布姓名;请求不公布姓名;沈翰宁设计研发完成，并于2023-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双栅晶体管的LCD像素驱动电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双栅晶体管的LCD像素驱动电路，包括第一晶体管、预存储电容、第一双栅极晶体管、第二双栅极晶体管和液晶电容，第一晶体管的第一源漏极耦接至数据信号线，栅极耦接至控制信号线，第二源漏极耦接至第一双栅极晶体管的第一栅极、预存储电容的一端，第二源漏极通过控制电极耦接至第二双栅极晶体管的第一栅极；预存储电容远离第一晶体管的第二源漏极的一端耦接至第二全局信号线；第一双栅极晶体管的第一源漏极耦接至第一全局信号线，第二源漏极通过像素电极耦接至液晶电容，第二栅极耦接至第二全局信号线；第二双栅极晶体管的第一源漏极耦接至第一全局信号线，第二源漏极耦接至液晶电容，第二栅极耦接至第二全局信号线。

本发明授权一种基于双栅晶体管的LCD像素驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种基于双栅晶体管的LCD像素驱动电路，其特征在于，包括：第一晶体管M1、预存储电容Cst、第一双栅极晶体管M2、第二双栅极晶体管M3和液晶电容Clc，所述第一晶体管M1的第一源漏极耦接至数据信号线，栅极耦接至控制信号线，第二源漏极耦接至第一双栅极晶体管M2的第一栅极以及预存储电容Cst的一端，同时，第二源漏极通过控制电极耦接至第二双栅极晶体管M3的第一栅极；所述预存储电容Cst远离所述第一晶体管M1的第二源漏极的一端耦接至第二全局信号线；所述第一双栅极晶体管M2的第一源漏极耦接至第一全局信号线，第二源漏极通过像素电极耦接至液晶电容Clc，第二栅极耦接至第二全局信号线；所述第二双栅极晶体管M3的第一源漏极耦接至第一全局信号线，第二源漏极通过像素电极耦接至液晶电容Clc，第二栅极耦接至第二全局信号线； 所述第一双栅极晶体管M2和所述第二双栅极晶体管M3被配置为：所述第一双栅极晶体管M2为N型双栅极薄膜场效应晶体管，所述第二双栅极晶体管M3为P型双栅极薄膜场效应晶体管；或所述第一双栅极晶体管M2为P型双栅极薄膜场效应晶体管，所述第二双栅极晶体管M3为N型双栅极薄膜场效应晶体管；其中，在所述第一双栅极晶体管M2为N型双栅极薄膜场效应晶体管，所述第二双栅极晶体管M3为P型双栅极薄膜场效应晶体管的情况下： 当第N帧的所述数据信号为高电位，且背光关闭时，第一全局信号跳变为高电位、第二全局信号跳变为低电位，所述第二双栅极晶体管M3打开并将所述像素电极复位到高电位，所述像素电极复位结束后，第一全局信号跳变为低电位、第二全局信号跳变为高电位，所述第一双栅极晶体管M2打开，所述像素电极存储的正电荷流向第一全局信号线，所述像素电极上形成液晶翻转目标角度所需的电压； 在进入第N+1帧时，背光开启。

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