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龙图腾网获悉传周半导体科技(上海)有限公司申请的专利反射式光电编码器气隙容差优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119687974B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411796932.1，技术领域涉及：G01D5/34；该发明授权反射式光电编码器气隙容差优化方法是由杨少海;林凯;邓仕杰设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本反射式光电编码器气隙容差优化方法在说明书摘要公布了：本发明提供的是一种反射式光电编码器气隙容差优化方法。其特征是：LED模组1、光电二极管阵列2、码盘3、电流调节电路4组成。其中LED模组由两个同型号的LED组成，分别为LED1、LED2；光电二极管阵列由增量码道光电二极管阵列21和光强指示光电二极管22组成，光强指示光电二极管为两个完全相同的光电二极管，分别为PD1、PD2，增量码道光电二极管由两组PD阵列组成，分别为PD3、PD4，电流调节电路4由夸阻放大电路41和电流控制电路42组成。本发明可应用于反射式光电编码器的气隙容差优化，可广泛应用于工业生产，航天航空，医疗，精密仪器，实验科研，数控机床等领域。

本发明授权反射式光电编码器气隙容差优化方法在权利要求书中公布了：1.一种反射式光电编码器气隙容差优化方法，其特征是：LED模组1、光电二极管阵列2、码盘3、电流调节电路4组成，其中LED模组由两个同型号的LED组成，分别为LED1、LED2；光电二极管阵列由增量码道光电二极管阵列21和光强指示光电二极管22组成，光强指示光电二极管为两个完全相同的光电二极管，分别为PD1、PD2，增量码道光电二极管阵列21由两组光电二极管阵列组成，分别为PD3、PD4，电流调节电路4由夸阻放大电路41和电流控制电路42组成；LED1与LED2在反射式光电编码器芯片上以芯片中心为对称点进行对称摆放，增量码道光电二极管阵列21在LED1与LED2的中间位置接收通过LED模组1发射，由码盘3反射回的光信号，光强指示光电二极管22放置在LED模组1两侧靠反射式光电编码器芯片外部的对称位置，且位置低于LED模组1，LED模组1发射的光照射至光强指示光电二极管22后，通过夸阻放大电路41转化为电压信号，该电压信号传入电流控制电路42调节LED模组1的电流，使得LED1与LED2所输出的光功率为预先设定的光功率且相等；LED模组1发射的光信号经由码盘3反射到增量码道光电二极管阵列21上，由于LED模组1相对于码盘3呈对称摆放且LED模组1的光功率被调节为一致，所以增量码道光电二极管阵列21上的光强排布为接近均匀的；当气隙改变时，由于PD3与PD4位于LED1与LED2中间，PD3与PD4同时接收到LED1与LED2的光线，由于LED1与LED2为对称型，其反射回的光信号也为对称型，在PD3和PD4上叠加后，其光信号的光强分布在Y方向上变化为均匀分布，光信号得到了优化，并且由于对称性的原因，PD3与PD4上的光强完全一致，在气隙变化时，PD3与PD4上的光强始终保持一致，能使用同一增益倍数对光电二极管信号进行放大。

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